| 講演名 | 2023-04-22 ［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 角田 功(熊本高専), 高倉 健一郎(熊本高専), |
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| 抄録(和) | 本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非晶質半導体内に導入することにより，結合を弱め，通常の固相結晶化法と比較して，より低温で誘起できる特徴がある．我々は，この金属誘起横方向成長に放射線照射および応力印加を重畳する手法を試み，通常の金属誘起成長に比べて横方向成長速度をそれぞれ約3倍および約10倍に促進できることを明らかにした． |
| 抄録(英) | We have investigated the low-temperature metal induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulating substrate. Metal induced lateral crystallization is caused after catalytic metal atom diffusion into amorphous Ge. In order to enhance the metal induced lateral crystallization, we examined the Ge-Ge bond strength of amorphous Ge modulated by using electron irradiation and compressive residual stress in TEOS-SiO2. As a result, the Au induced lateral crystallization of amorphous Ge was significantly enhanced (~ 10 times). This study proposes a unique low temperature crystallization technique that introduces electron irradiation and residual stress on Au induced lateral crystallization. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / 固相成長 / 触媒金属誘起固相成長 / 電子線照射 / 応力印加 |
| キーワード(英) | Germanium / Solid phase crystallization / Metal induced lateral crystallization / Electron beam irradiation / Compressive stress stimulation |
| 資料番号 | SDM2023-15,OME2023-15 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2023/4/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 山田 俊樹(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshiki Yamada(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) / 伊東 栄次(信州大学) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(ASM Japan) / Eiji Itoh(Shinshu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) / 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Metal induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulating substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 触媒金属誘起固相成長 / Metal induced lateral crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / Electron beam irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 応力印加 / Compressive stress stimulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 角田 功 / Isao Tsunoda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto College) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高倉 健一郎 / Kenichiro Takakura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto College) |
| 発表年月日 | 2023-04-22 |
| 資料番号 | SDM2023-15,OME2023-15 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-8,OME-9 |
| ページ範囲 | pp.55-58(SDM), pp.55-58(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |