| 講演名 | 2023-01-27 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 大石 泰己(静岡大), 渡邊 泰良(静岡大), 田中 佑樹(静岡大), 増田 克仁(静岡大), 吉岡 陸(静岡大), 増田 希良里(静岡大), 小南 裕子(静岡大), 原 和彦(静岡大), |
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| 抄録(和) | BCl? と NH? を原料とする減圧化学気相法 （CVD） を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN) 薄膜のさらなる膜質向上に向けて、従来よりも高い成長温度 Tg における薄膜成長条件の探索を目的とし、Tg = 1300 ℃ および 1400 ℃ における成長条件の最適化を図った。Tg = 1300 ℃ では、NH?流量を最適化することにより、従来よりも発光特性が大きく向上した。この試料の特性は Tg = 1200 ℃より良好であり、成長の高温化が期待通り示された。Tg = 1400 ℃では、これまで最適な成長圧力 Pgであると考えられていた 15 kPa よりも低い Pg = 7.5 kPa において発光特性が向上した。しかし、膜質の向上は Tg = 1300 ℃に及ばず、さらなる成長温度の高温化には、成長条件の検討をさらに進める必要がある。 |
| 抄録(英) | To further improve quality of hexagonal boron nitride (h-BN) thin films grown on c-plane sapphire by a low - pressure chemical vapor deposition (CVD) method with BCl? and NH?, we have optimized the growth conditions at higher growth temperatures, Tg, than before. At Tg = 1300 ℃, optimizing the NH? flow rate significantly improved the luminescence property compared to those grow at 1200 ℃. At Tg = 1400 ℃, the luminescence property was most improved at growth pressure, Pg = 7.5 kPa, which is lower than the optimal Pg of 15 kPa at 1200 and 1300 ℃. However, the improvement of film quality was not achieved at Tg = 1400 ℃. At even higher Tg, the growth conditions need to be further investigated. |
| キーワード(和) | 六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / 固有励起子発光 |
| キーワード(英) | hexagonal boron nitride / CVD / thin film / excitonic luminescence |
| 資料番号 | EID2022-8 |
| 発行日 | 2023-01-19 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-IDY / IEIJ-SSL / EID / SID-JC / IEE-EDD |
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| 開催期間 | 2023/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 (Webex) |
| 開催地（英） | Online (Zoom) |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 石鍋 隆宏(東北大) / / 山口 雅浩(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Ishinabe(Tohoku Univ.) / / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | / / 神原 誠之(奈良先端大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) |
| 副委員長氏名（英） | / / Masayuki Kanbara(NAIST) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) |
| 幹事氏名（和） | 中村 篤志(静岡大) / 長谷川 拓哉(東北大) / / 伊達 宗和(NTT) / 水﨑 真伸(シャープ) |
| 幹事氏名（英） | Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) / Takuya Hasegawa(Tohoku Univ.) / / Munekazu Date(NTT) / Masanobu Mizusaki(SHARP) |
| 幹事補佐氏名（和） | / / 辻 博史(NHK) / 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 山口 留美子(秋田大) / 穐本 光弘(山口東京理科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | / / Hiroshi Tsuji(NHK) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Mitsuhiro Akimoto(Sanyo-Onoda City Univ) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Group on Information Display / * / Technical Committee on Electronic Information Displays / Society for Informtion Display Japan Chapter / Technical Group on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low - pressure CVD of hexagonal BN thin films at high temperatures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 固有励起子発光 / excitonic luminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大石 泰己 / Taiki Oishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 泰良 / Taira Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 佑樹 / Yuki Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 克仁 / Katsumi Masuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉岡 陸 / Riku Yoshioka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 増田 希良里 / Kirari Masuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko Hara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-01-27 |
| 資料番号 | EID2022-8 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | EID-366 |
| ページ範囲 | pp.17-20(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-19 (EID) |