| 講演名 | 2023-01-27 ［招待講演］マイクロ波ミリ波帯におけるGaN電力増幅器のための回路、デバイス技術 松永 高治(湘南工科大), |
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| 抄録(和) | 現在、GaNデバイスは移動体基地局を始め、放送機器、各種レーダーシステム、簡易幹線無線システムなどマイクロ波帯通信インフラ機器において市民権を得ている。それはデバイスプロセスの進展による高電圧動作の実現が、従来の半導体デバイスでは実現できない点に起因している。本稿ではこれまでのGaNデバイスの発展を鑑み、GaN電力増幅器を中心にマイクロ波、ミリ波応用での特長を示す。またBeyond5Gなど次世代通信インフラへの展開可能性などを展望する。 |
| 抄録(英) | In recent years, High frequency GaN Transistor are used in many kinds of high frequency applications such as base-station, broadcasting transmitter, radar, and microwave wireless infrastructure. This means GaN transistor has the decided advantage of high voltage operation due to the progress of device processes. This paper describes the developed GaN transistors design consideration and power amplifier performances of microwave and millimeter-wave application. Furthermore, I anticipate the development of GaN transistor in the next-generation mobile wireless communication system, also known as B5G. |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / GaN / マイクロ波ミリ波 |
| キーワード(英) | Power amplifire / GaN / microwave and millimeter-wave |
| 資料番号 | ED2022-95,MW2022-154 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2023/1/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 末松 憲治(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) / 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 石川 亮(電通大) / 河口 民雄(東芝) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］マイクロ波ミリ波帯におけるGaN電力増幅器のための回路、デバイス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Circuits and devices technology of GaN power amplifiers for microwave and millimeter-wave application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifire |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波ミリ波 / microwave and millimeter-wave |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / Koji Matsunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学(略称：湘南工科大) Shonan Institute of Technology(略称：SIT) |
| 発表年月日 | 2023-01-27 |
| 資料番号 | ED2022-95,MW2022-154 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-370,MW-371 |
| ページ範囲 | pp.44-49(ED), pp.44-49(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |