| 講演名 | 2023-01-27 GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 西澤 弘一郎(三菱電機), 松本 歩(兵庫県立大), 中川 康幸(三菱電機), 佐久間 仁(三菱電機), 後藤 清毅(三菱電機), 福室 直樹(兵庫県立大), 八重 真治(兵庫県立大), |
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| 抄録(和) | GaAs 半導体デバイスの裏面電極には電解 Au めっき膜などが用いられ，そのシード層として，GaAs基板との密着性が高く，ビア内のカバレッジ性が良い無電解 Ni-P めっきが用いられる．無電解 Ni-P めっき膜は内部応力が高くウエハ反りの要因となるため，応力低減が検討されている．本研究では，GaAs 基板上にリン濃度の異なる 3 種類の無電解 Ni-P めっき膜（低リン，中リン，高リン）を形成し，ウエハ反り量および界面反応を評価した．Ni-P 膜を形成した GaAs 基板に 240℃，1 時間の熱処理を行った後のウエハ反り量は，Ni-P 膜(as depo.)のリン濃度が高いほど低かった．断面 SEM から，熱処理により生じた Ni 拡散層厚は Ni-P 膜(as depo.)のリン濃度が高いほど薄く，Ni 拡散層の形成がウエハ反り量に寄与していると考えられる．XPS デプスプロファイル分析の結果，熱処理により Ni が GaAs 基板側に拡散し Ni 拡散層を形成し，一方で Ni-P 膜のリン濃度が上昇することが分かった．成膜直後の Ni-P 膜のリン濃度は 6〜20 at.%と異なっていたが，熱処理後には 31〜33 at.%でほぼ一定となった．Ni-P 膜は，熱処理によりアモルファスから微結晶（Ni5P2, Ni12P5, Ni7P3）に変化した．微結晶に変化することで Ni 原子はエネルギー的に安定な状態となり，拡散反応が停止したと考えられる． |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | ニッケル-リン合金 / ガリウム砒素 / 内部応力 / Ni-GaAs 合金 / 界面反応 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2022-92,MW2022-151 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2023/1/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 末松 憲治(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) / 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 石川 亮(電通大) / 河口 民雄(東芝) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Evaluation of Electroless Ni-P plating films on GaAs substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ニッケル-リン合金 |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウム砒素 |
| キーワード(3)（和/英） | 内部応力 |
| キーワード(4)（和/英） | Ni-GaAs 合金 |
| キーワード(5)（和/英） | 界面反応 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西澤 弘一郎 / Koichiro Nishizawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Co., Ltd.(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 歩 / Ayumu Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 康幸 / Yasuyuki Nakagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Co., Ltd.(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐久間 仁 / Hitoshi Sakuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Co., Ltd.(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 後藤 清毅 / Seiki Goto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Co., Ltd.(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福室 直樹 / Naoki Fukumuro |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 八重 真治 / Shinji Yae |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 発表年月日 | 2023-01-27 |
| 資料番号 | ED2022-92,MW2022-151 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-370,MW-371 |
| ページ範囲 | pp.33-35(ED), pp.33-35(MW), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |