講演名 2023-01-27
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討
諸隈 奨吾(佐賀大), 大塚 友絢(三菱電機), 大石 敏之(佐賀大), 山口 裕太郎(三菱電機), 新庄 真太郎(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2022-91,MW2022-150
発行日 2023-01-20 (ED, MW)

研究会情報
研究会 MW / ED
開催期間 2023/1/27(から1日開催)
開催地(和) 機械振興会館
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 末松 憲治(東北大) / 藤代 博記(東京理科大)
委員長氏名(英) Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science)
副委員長氏名(和) 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) / 葛西 誠也(北大)
副委員長氏名(英) Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.)
幹事氏名(和) 石川 亮(電通大) / 河口 民雄(東芝) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT)
幹事氏名(英) Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT)
幹事補佐氏名(和) 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機)
幹事補佐氏名(英) Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討
サブタイトル(和) デバイスシミュレーション
タイトル(英) Effects of GaN traps in GaN HEMTs to Low Frequency Y22 Parameters
サブタイトル(和) Device Simulation Study
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 諸隈 奨吾 / Shogo Morokuma
第 1 著者 所属(和/英) 佐賀大学(略称:佐賀大)
Saga University(略称:Saga Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 大塚 友絢 / Tomohiro Otsuka
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric(略称:Mitsubishi Electric)
第 3 著者 氏名(和/英) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi
第 3 著者 所属(和/英) 佐賀大学(略称:佐賀大)
Saga University(略称:Saga Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric(略称:Mitsubishi Electric)
第 5 著者 氏名(和/英) 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric(略称:Mitsubishi Electric)
第 6 著者 氏名(和/英) 山中 宏治 / Koji Yamanaka
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric(略称:Mitsubishi Electric)
発表年月日 2023-01-27
資料番号 ED2022-91,MW2022-150
巻番号(vol) vol.122
号番号(no) ED-370,MW-371
ページ範囲 pp.29-32(ED), pp.29-32(MW),
ページ数 4
発行日 2023-01-20 (ED, MW)