| 講演名 | 2023-01-27 1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 中川 祐希(湘南工科大), 加保 貴奈(湘南工科大), 坂田 修一(三菱電機), 小松崎 優治(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機), |
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| 抄録(和) | 800MHzから4.8GHzまでの4GHz幅をカバーする4G/5G基地局用広帯域GaN増幅器を研究している．周波数帯域毎にドハティ増幅器またはアウトフェージング増幅器として動作させることで高効率化を目指している．周波数帯域毎に2つのGaN HEMTのゲート電圧を制御しながら出力電力，利得，効率，EVM等の特性を調べるため，広帯域増幅器では測定量が増大するという課題があった．そこで省力化のため，まずは1入力増幅器に対してPXIシステムでベクトルトランシーバ，ソースメジャーユニット，パワーセンサを組み合せた測定系を構築し，LabVIEWとMATALABを用いた自動測定用プログラムを開発した．本報告では測定系およびプログラムの詳細と3.8GHz帯での増幅器の測定評価結果について報告する． |
| 抄録(英) | We are researching a broadband GaN amplifier for 4G/5G base stations covering a 4GHz band from 800MHz to 4.8GHz. We aim to improve efficiency by operating as a Doherty amplifier or an outphasing amplifier for each frequency band. To investigate characteristics such as output power, gain, efficiency, EVM, etc. while controlling the gate voltage of two GaN HEMTs for each band, broadband amplifiers had the problem of increasing the amount of measurement. A measurement system was constructed by combining a vector transceiver, a source measure unit, and a power sensor in a PXI system for a single-input amplifier, and a program for automatic measurement was developed using LabVIEW and MATLAB. This report describes the details of the measurement system and program. We report on the measurement evaluation results of amplifiers in the 3.8 GHz band. |
| キーワード(和) | 高出力増幅器 / 広帯域 / GaN / バイアス依存性 |
| キーワード(英) | Power amplifier / broadband / GaN / bias dependence |
| 資料番号 | ED2022-89,MW2022-148 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2023/1/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 末松 憲治(東北大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) / 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 石川 亮(電通大) / 河口 民雄(東芝) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement Evaluation of Bias Dependence of Single-Input Broadband GaN Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | バイアス依存性 / bias dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 祐希 / Yuki Nakagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学(略称：湘南工科大) Shonan Institute of Technology(略称：Shonan Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加保 貴奈 / Takana Kaho |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学(略称：湘南工科大) Shonan Institute of Technology(略称：Shonan Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂田 修一 / Shuichi Sakata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：MELCO) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小松崎 優治 / Yuji Komatsuzaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：MELCO) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：MELCO) |
| 発表年月日 | 2023-01-27 |
| 資料番号 | ED2022-89,MW2022-148 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-370,MW-371 |
| ページ範囲 | pp.19-24(ED), pp.19-24(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |