| 講演名 | 2023-01-18 ［依頼講演］レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 高田 徳幸(産総研), |
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| 抄録(和) | レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来して放射されるTHz波を検出することで、電場/電荷移動等の情報分析を可能にする技術である。本研究ではLTEMを用いて、動作中のGaN-HEMTにおけるAlGaN/GaN界面ポテンシャル変化を可視化できたので報告する。 |
| 抄録(英) | Laser Terahertz Emission Microscopy (LTEM) can observe electric field/charge transfer by detecting THz waves emitted due to time-dependent changes in photocurrent and polarization on irradiating femtosecond light pulses to semiconductor surfaces/interfaces. In this study, we report on the visualization of the AlGaN/GaN interfacial potential change in GaN-HEMT during operation using LTEM. |
| キーワード(和) | LTEM / THz波 / GaN-HEMT / 2DEG / 空乏層 |
| キーワード(英) | LTEM / THz wave / GaN-HEMT / 2DEG / depletion layer |
| 資料番号 | OME2022-63 |
| 発行日 | 2023-01-11 (OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / IEE-DEI |
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| 開催期間 | 2023/1/18(から2日開催) |
| 開催地（和） | 愛知・日間賀島 ホテル浦島 |
| 開催地（英） | Aichi Himaka island ホテル浦島 |
| テーマ（和） | 有機薄膜，有機・バイオデバイス，一般 |
| テーマ（英） | Organic Thin Films, Organic・biotechnology, etc. |
| 委員長氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) / 髙橋 俊裕(電力中央研究所) |
| 委員長氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) / 髙橋 俊裕(電力中央研究所) |
| 副委員長氏名（和） | 伊東 栄次(信州大学) |
| 副委員長氏名（英） | Eiji Itoh(Shinshu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) / 関口 洋逸(住友電気工業) / 三宅 弘晃(東京都市大学) |
| 幹事氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / 関口 洋逸(住友電気工業) / 三宅 弘晃(東京都市大学) |
| 幹事補佐氏名（和） | 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) / 梅本 貴弘(三菱電機) / 栗本 宗明(名古屋大学) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) / 梅本 貴弘(三菱電機) / 栗本 宗明(名古屋大学) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Meeting on Dielectrics and Electrical Insulation |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Interface potential distribution in GaN-HEMT using a Laser Terahertz Emission Microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LTEM / LTEM |
| キーワード(2)（和/英） | THz波 / THz wave |
| キーワード(3)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(5)（和/英） | 空乏層 / depletion layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高田 徳幸 / Noriyuki Takada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2023-01-18 |
| 資料番号 | OME2022-63 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | OME-336 |
| ページ範囲 | pp.1-3(OME), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-01-11 (OME) |