| 講演名 | 2022-12-22 ［ポスター講演］LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 工藤 慎也(早大), 柳谷 隆彦(早大), |
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| 抄録(和) | LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配向LiNbO3のkt2値は、180°Y-cut LiNbO3(a面)や、147°Y-cut LiNbO3(r面)の擬似すべりモードk352値と比較して大幅に低いため、LiNbO3はBAWフィルタとして使用されてこなかった。一方近年、機械研磨による薄片化技術を用いたBAWフィルタが多数報告されている。しかし、バルクLiNbO3単結晶のウエハサイズは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLiNbO3薄膜の優位性は高い。そこで本研究では、エピタキシャルAlドープ導電性a面ZnO層/(10-12)Al2O3上での(10-12) LiNbO3薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、これらのエピタキシャルLiNbO3共振子の擬似すべりモード励振特性を報告する。 |
| 抄録(英) | LiNbO3 have been used for the SAW filters because of their high Q and k. However, LiNbO3 filter have not used in the BAW industry because thickness extensional mode kt2 in the c-axis oriented LiNbO3, which can be grown in the standard sputtering process, is significantly low compared with quasi-shear mode k352 in the bulk 180°Y-cut LiNbO3 and 147°Y-cut LiNbO3. Therefore, the mechanical thinning of bulk LiNbO3 single crystal plate has been used to fabricate the thin single crystalline layer for BAW resonators. However, wafer size of these top-down process is limited to 6 inch because the size of the bulk LiNbO3 single crystal wafer. In contrast, bottom-up process such as sputtering growth is well-developed in the 8 inch wafer such as AlN films. In this study, we report the epitaxial growth of (10-12) LiNbO3 on epitaxial (11-20) Al doped conductive ZnO layer (AZO) / (10-12) Al2O3 substrate. Shear mode acoustic properties of the epitaxial (10-12) LiNbO3 film resonator were reported. |
| キーワード(和) | LiNbO3 / スパッタ法 / 擬似すべりモード励振特性 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | LiNbO3 / Sputtering deposition / Shear mode / Epitaxial growth |
| 資料番号 | US2022-66 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EA / US |
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| 開催期間 | 2022/12/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | ＜音響・超音波サブソサイエティ合同研究会＞応用／電気音響，超音波一般 |
| テーマ（英） | [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 委員長氏名（和） | 古家 賢一(大分大) / 中村 健太郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Kenichi Furuya(Oita Univ.) / Kentaro Nakamura(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 加古 達也(NTT) / 小野 順貴(都立大) / 小池 義和(芝浦工大) / 渡部 泰明(都立大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kako(NTT) / Junki Ono(Tokyo Metropolitan Univ.) / Yoshikazu Koike(Shibaura Inst. of Tech.) / Yasuaki Watanabe(Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 若山 圭吾(NTT) / 西浦 敬信(立命館大) / 吉澤 晋(東北大) / 平田 慎之介(千葉大) |
| 幹事氏名（英） | Keigo Wakayama(NTT) / Takanobu Nishiura(Ritsumeikan Univ.) / Shin Yoshizawa(Tohoku Univ.) / Shinnosuke Hirata(Chiba Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 中山 雅人(阪産大) / 矢田部 浩平(東京農工大) / 大久保 寛(都立大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masato Nakayama(OSU) / Kouhei Yatabe(Tuat) / Kan Okubo(Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Engineering Acoustics / Technical Committee on Ultrasonics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Thickness shear mode BAW resonator based on epitaxial LiNbO3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LiNbO3 / LiNbO3 |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ法 / Sputtering deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 擬似すべりモード励振特性 / Shear mode |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 慎也 / Shinya Kudo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Wseda Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-12-22 |
| 資料番号 | US2022-66 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | US-323 |
| ページ範囲 | pp.86-91(US), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |