| 講演名 | 2022-12-19 ［招待講演］テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 堤 卓也(NTT), 濱田 裕史(NTT), 徐 照男(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 佐々木 太郎(NTT), 高橋 宏行(NTT), 中島 史人(NTT), |
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| 抄録(和) | 無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており，その周波数帯の一候補として300 GHz 帯を用いたテラヘルツ帯が注目されている．本報告では，数100GHz を超える高周波動作が可能なInP 系高電子移動度トランジスタ（InP-based high mobility electron transistors: InP-HEMTs）の概要とその製造技術について述べる．さらに300 GHz 帯通信に必須となるテラヘルツIC（Tera-Hertz monolithic ICs: THz-ICs），及びそのモジュールを紹介し，B5G/6G への適用可能性について議論する． |
| 抄録(英) | Next-generation "Beyond 5G (B5G) / 6G" wireless network systems have been researched and developed for meeting with rapid growth of mobile traffics. We report high-yield fabrication process of InP-based high mobility transistors (InP-HEMTs) and Tera-Hertz monolithic ICs (THz-ICs) with 300-GHz-operation which is one of the candidate frequency for B5G/6G network systems. We also introduce InP-based THz-ICs such as 300-GHz power amplifiers and mixers and indicate that InP-based devices are an applicable candidate for B5G/6G. |
| キーワード(和) | Beyond 5G (B5G) / 6G / テラヘルツIC / インジウム燐 / 高電子移動度電界効果トランジスタ, / 裏面プロセス / 300-GHz帯 |
| キーワード(英) | Beyond 5G (B5G) / 6G / Tera-Hertz ICs (THz-ICs) / Indium phosphide (InP) / High electron mobility transistors (HEMTs) / Backside process / 300-GHz band |
| 資料番号 | ED2022-76,MWPTHz2022-47 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / MWPTHz |
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| 開催期間 | 2022/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 菅野 敦史(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Atsushi Kanno(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 冨士田 誠之(阪大) / 池田 研介(電中研) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Masayuki Fujita(Osaka Univ.) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) |
| 幹事氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 山口 祐也(NICT) / 渡邊 一世(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Yuya Yamaguchi(NICT) / Issei Watanabe(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 易 利(阪大) / 佐藤 昭(東北大) / 鈴木 左文(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Li Yi(Osaka Univ.) / Akira Satou(Tohoku Univ.) / Safumi Suzuki(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwave Photonics and Terahertz Photonic-Electronic Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] InP-HEMT Fabrication Process Technology for Beyond 5G Wireless Network with THz wave band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Beyond 5G (B5G) / 6G / Beyond 5G (B5G) / 6G |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツIC / Tera-Hertz ICs (THz-ICs) |
| キーワード(3)（和/英） | インジウム燐 / Indium phosphide (InP) |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度電界効果トランジスタ, / High electron mobility transistors (HEMTs) |
| キーワード(5)（和/英） | 裏面プロセス / Backside process |
| キーワード(6)（和/英） | 300-GHz帯 / 300-GHz band |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徐 照男 / Teruo Jyo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 太郎 / Taro Sasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 宏行 / Hiroyuki Takahashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中島 史人 / Fumito Nakajima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2022-12-19 |
| 資料番号 | ED2022-76,MWPTHz2022-47 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-319,MWPTHz-320 |
| ページ範囲 | pp.23-27(ED), pp.23-27(MWPTHz), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |