| 講演名 | 2022-12-22 ［ポスター講演］c軸20?傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性 岸 大貴(早大), 柳谷 隆彦(早大/JST), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用が期待できる。圧電体の一つであるZnOは、c軸を傾斜させることにより高いk´35を得ることができる。過去に我々のグループは、基板面法線に対し約23°傾斜したZnO多結晶膜の作製に成功し、 k´352 = 6.8%という高いk´35を報告した。本研究ではc軸傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜を用いた厚みすべりモード共振子について報告する。c軸傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜はa面方向に10?、20?オフ角を付けたc面サファイア基板上にRFマグネトロンスパッタ法によって作製した。(10"1" ?1)X線極点図において10?、20?右にシフトした6回対称が確認できることから、MgZnO薄膜はサファイア基板の10?、20?オフ角を反映してエピタキシャル成長していることが確認された。またTEMによってMgZnO薄膜の表面の電子回折像を観察した結果、スポットが明瞭に観測できたことから、最表面においても単結晶ライクな状態を維持できていると考えられる。c軸10?、20?傾斜配向MgZnO薄膜のk´352は変換損失法によってそれぞれ2.0%と2.2%と推定された。 |
| 抄録(英) | Thickness shear mode piezoelectric thin films with high electromechanical coupling coefficient k´352 are attractive for quasi-shear mode FBAR and SH-SAW devices. The single crystalline ZnO film with 28? tilt to the substrate normal possesses high k´35. In 2007, our group fabricated polycrystalline ZnO films with a 23? tilt to the surface normal and reported k´352 of 6.8%. In this study, we report c-axis tilted epitaxial MgZnO films grown by RF magnetron sputtering on a c-plane sapphire substrate with a 10°, 20° off-angle to the a-plane direction. The crystalline orientation was examined by XRD pole figure. In-plane six-fold symmetry which is shifted 10°, 20° to the right direction is observed. This indicates that the MgZnO thin film is epitaxially grown reflecting the 10°, 20° off-angle of the substrate. The electron diffraction image of the surface of the MgZnO film was observed by TEM. The spots pattern shows single crystal-like growth even at the surface. Quasi-shear mode k´352 of c-axis 10°and 20° tilted epitaxial MgZnO films are estimated to be 2.0% and 2.2% from shear wave conversion loss of the HBAR structure. |
| キーワード(和) | 超音波トランスデューサ / MgZnO / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Thickness shear mode resonators / Shear wave ultrasonic transducers / MgZnO / Epitaxial growth |
| 資料番号 | US2022-62 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EA / US |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/12/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | ＜音響・超音波サブソサイエティ合同研究会＞応用／電気音響，超音波一般 |
| テーマ（英） | [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 委員長氏名（和） | 古家 賢一(大分大) / 中村 健太郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Kenichi Furuya(Oita Univ.) / Kentaro Nakamura(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 加古 達也(NTT) / 小野 順貴(都立大) / 小池 義和(芝浦工大) / 渡部 泰明(都立大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kako(NTT) / Junki Ono(Tokyo Metropolitan Univ.) / Yoshikazu Koike(Shibaura Inst. of Tech.) / Yasuaki Watanabe(Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 若山 圭吾(NTT) / 西浦 敬信(立命館大) / 吉澤 晋(東北大) / 平田 慎之介(千葉大) |
| 幹事氏名（英） | Keigo Wakayama(NTT) / Takanobu Nishiura(Ritsumeikan Univ.) / Shin Yoshizawa(Tohoku Univ.) / Shinnosuke Hirata(Chiba Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 中山 雅人(阪産大) / 矢田部 浩平(東京農工大) / 大久保 寛(都立大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masato Nakayama(OSU) / Kouhei Yatabe(Tuat) / Kan Okubo(Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Engineering Acoustics / Technical Committee on Ultrasonics |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］c軸20?傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Quasi-shear mode excitation of c-axis tilted MgZnO epitaxial thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超音波トランスデューサ / Thickness shear mode resonators |
| キーワード(2)（和/英） | MgZnO / Shear wave ultrasonic transducers |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / MgZnO |
| キーワード(4)（和/英） | / Epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岸 大貴 / Hiroki Kishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学/JST(略称：早大/JST) Waseda University/JST(略称：Waseda Univ./JST) |
| 発表年月日 | 2022-12-22 |
| 資料番号 | US2022-62 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | US-323 |
| ページ範囲 | pp.62-67(US), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |