| 講演名 | 2022-12-08 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 大住 知暉(京大), 長尾 昌善(産総研), 後藤 康仁(京大), |
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| 抄録(和) | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニウム(HfN)薄膜を成膜した. 成膜したHfN薄膜の窒素組成を1.6 MeV H+を用いた非ラザフォード後方散乱法により評価し, 大気中での仕事関数をケルビン法により評価した. それぞれの成膜手法で成膜したHfN薄膜の窒素組成と仕事関数の関係を比較したところ, いずれの成膜手法においても, 窒素組成(N/Hf)が0.9から1.1の範囲では, 窒素組成が増加すると仕事関数が上昇する傾向が見られた. |
| 抄録(英) | Hafnium nitride(HfN) thin films were prepared by dc and rf magnetron sputtering. The nitrogen compositions of HfN thin films were controlled by N2 flow ratio during deposition. Nitrogen compositions of HfN thin films were evaluated by non-Rutherford backscattering spectrometry with a 1.6 MeV proton beam. Work functions of the films were evaluated by Kelvin probe in air. The relationships between nitrogen compositions and work functions of the films prepared by different methods were compared. The work functions of HfN thin films increased as nitrogen compositions increased in the range of N/Hf of 0.9-1.1 for both methods. |
| キーワード(和) | 窒化ハフニウム / 仕事関数 / 窒素組成 / 反応性スパッタ法 |
| キーワード(英) | Hafnium nitride / Work function / Nitrogen composition / Reactive sputtering |
| 資料番号 | ED2022-53 |
| 発行日 | 2022-12-01 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2022/12/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 12/8 名大、12/9 ウインク愛知（会場は、「詳細はこちら」を参照ください） |
| 開催地（英） | 12/8 Nagoya University, 12/9 WINC AICHI |
| テーマ（和） | 電子・イオンビーム応用 |
| テーマ（英） | Applications of electron and ion beam |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of work function of hafnium nitride thin films prepared by dc and rf magnetron sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ハフニウム / Hafnium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 仕事関数 / Work function |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素組成 / Nitrogen composition |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性スパッタ法 / Reactive sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大住 知暉 / Tomoaki Osumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-12-08 |
| 資料番号 | ED2022-53 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-298 |
| ページ範囲 | pp.15-17(ED), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2022-12-01 (ED) |