| 講演名 | 2022-12-20 レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN:Euのバンドギャップ推定とキャリア輸送特性評価 村上 史和(阪大レーザー研), 竹尾 敦志(阪大院工), アブダル マナーン(マンチェスター大), 藤原 康文(阪大院工), 斗内 政吉(阪大レーザー研), |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム（GaN）にユーロピウムをドープしたGaN:EuはGaNベースの赤色発光ダイオード（LED）材料として注目を浴びている。GaN:Eu/GaN超格子構造によるLED発光性能の向上が報告されているが、その性能向上メカニズムはまだ明らかになっていない。本研究ではテラヘルツ波放射測定により、GaN:EuのバンドギャップがアンドープGaNよりも小さくなっている事を発見した。またGaN:Eu/GaN超格子構造における電荷移動度はGaN:Eu単膜構造での移動度よりも小さくなっている事を明らかにし、超格子構造内のGaN:EuとGaNのバンドギャップ差によるキャリア閉じ込め効果がLED性能向上を引き起こしているという新たなモデルを提案した。 |
| 抄録(英) | GaN:Eu, gallium nitride (GaN) doped with europium, has attracted much attention as a material for GaN-based red light-emitting diode (LED). Although improvement of LED performance using GaN:Eu/GaN superlattice structure has been reported, the mechanism of the enhancement has not been clarified. In this study, we found that the bandgap of GaN:Eu is smaller than that of undoped GaN using terahertz emission spectroscopy. Furthermore, we revealed that the carrier mobility in the superlattice is smaller than that in the GaN:Eu monolayer, suggesting a new model that the carrier confinement effect due to the bandgap difference between GaN:Eu and GaN in the superlattice is responsible for the improvement of LED performance. |
| キーワード(和) | THz波放射測定 / レーザーTHz放射顕微鏡 / 高速キャリアダイナミクス / GaN:Eu / 赤色発光ダイオード |
| キーワード(英) | THz emission spectroscopy / laser THz emission microscopy / ultrafast carrier dynamics / GaN:Eu / red-LED |
| 資料番号 | ED2022-82,MWPTHz2022-53 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / MWPTHz |
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| 開催期間 | 2022/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 菅野 敦史(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Atsushi Kanno(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 冨士田 誠之(阪大) / 池田 研介(電中研) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Masayuki Fujita(Osaka Univ.) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) |
| 幹事氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 山口 祐也(NICT) / 渡邊 一世(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Yuya Yamaguchi(NICT) / Issei Watanabe(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 易 利(阪大) / 佐藤 昭(東北大) / 鈴木 左文(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Li Yi(Osaka Univ.) / Akira Satou(Tohoku Univ.) / Safumi Suzuki(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwave Photonics and Terahertz Photonic-Electronic Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN:Euのバンドギャップ推定とキャリア輸送特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier transport properties and bandgap estimation on GaN:Eu using laser terahertz emission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | THz波放射測定 / THz emission spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーTHz放射顕微鏡 / laser THz emission microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | 高速キャリアダイナミクス / ultrafast carrier dynamics |
| キーワード(4)（和/英） | GaN:Eu / GaN:Eu |
| キーワード(5)（和/英） | 赤色発光ダイオード / red-LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村上 史和 / Fumiazku Murakami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学レーザー科学研究所(略称：阪大レーザー研) Institute of Laser Engineering, Osaka University(略称：ILE, Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹尾 敦志 / Atsushi Takeo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大院工) Graduate School of Engineering, Osaka University(略称：GSE, Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | アブダル マナーン / Abdul Mannan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | マンチェスター大学(略称：マンチェスター大) The University of Manchester(略称：The University of Manchester) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Yasufumi Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科(略称：阪大院工) Graduate School of Engineering, Osaka University(略称：GSE, Osaka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学レーザー科学研究所(略称：阪大レーザー研) Institute of Laser Engineering, Osaka University(略称：ILE, Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-12-20 |
| 資料番号 | ED2022-82,MWPTHz2022-53 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-319,MWPTHz-320 |
| ページ範囲 | pp.52-57(ED), pp.52-57(MWPTHz), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |