| 講演名 | 2022-12-08 垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転 潘 達(名大), 曹 哲(名大), 大島 大輝(名大), 加藤 剛志(名大), |
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| 抄録(和) | 3次元磁気メモリ素子開発を目指し，垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した． Ruを介して人工積層フェリ磁性（SAF）構造とした垂直磁化固定層を用いた巨大磁気抵抗効果（GMR）型ピラー素子を作製し，膜法線方向に電流を流すこと（CPP）によるスピン移行トルク（STT）磁化反転およびスピン軌道トルク（SOT）磁化反転を観測した．SAF構造の導入により，無磁場でのSTT磁化反転が可能であることを確認した．さらに同素子において，下部電極に電流を流すことにより，CPP-GMR素子加工したCo/Pd膜のSOT磁化反転も観測した． |
| 抄録(英) | For the development of three-dimensional magnetic memory devices, we investigated current-induced magnetization reversal of perpendicularly magnetized Co/Pd films. Synthetic antiferromagnet (SAF) reference layer consisting of [Co/Pt]/Ru/[Co/Pt] multilayer was used for giant magneto resistive (GMR) devices to reduce the stray field to the pillar-shaped Co/Pd memory layer. We confirmed that the SAF structure is effective for spin-transfer torque (STT) magnetization reversal in the absence of a perpendicularly assisted magnetic field. Moreover, spin-orbit torque (SOT) magnetization reversal of the pillar-shaped Co/Pd layer was confirmed by applying a current flowing through the bottom electrode. |
| キーワード(和) | 3次元磁気メモリ / 人工積層フェリ / 巨大磁気抵抗効果 / スピン移行トルク / スピン軌道トルク |
| キーワード(英) | 3D magnetic memory / Synthetic antiferromagnet / Giant magnetoresistance / Spin-transfer torque / Spin-orbit torque |
| 資料番号 | MRIS2022-19 |
| 発行日 | 2022-12-01 (MRIS) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS / ITE-MMS |
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| 開催期間 | 2022/12/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 愛媛大学 + オンライン開催 |
| 開催地（英） | Ehime Univ. + Online |
| テーマ（和） | 信号処理，磁気記録，一般 |
| テーマ（英） | Signal Processing and Others |
| 委員長氏名（和） | 田河 育也(東北工大) |
| 委員長氏名（英） | Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所) |
| 幹事氏名（英） | Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung) |
| 幹事補佐氏名（和） | 菊池 伸明(東北大) / 山路 俊樹(産総研) |
| 幹事補佐氏名（英） | Nobuaki Kikuchi(Tohoku Univ.) / Toshiki Yamaji(AIST) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Group on Multi-media Storage |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Induced Magnetization Switching of CPP-GMR with Perpendicular Magnetized SAF Pinned Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元磁気メモリ / 3D magnetic memory |
| キーワード(2)（和/英） | 人工積層フェリ / Synthetic antiferromagnet |
| キーワード(3)（和/英） | 巨大磁気抵抗効果 / Giant magnetoresistance |
| キーワード(4)（和/英） | スピン移行トルク / Spin-transfer torque |
| キーワード(5)（和/英） | スピン軌道トルク / Spin-orbit torque |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 潘 達 / Da Pan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 曹 哲 / Zhe Cao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大島 大輝 / Daiki Oshima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-12-08 |
| 資料番号 | MRIS2022-19 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | MRIS-297 |
| ページ範囲 | pp.7-10(MRIS), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-12-01 (MRIS) |