| 講演名 | 2022-12-20 放熱と低導体損のための厚いInP導電層を用いた高出力共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 田中 大基(東工大), 藤方 秀成(東工大), 韓 非凡(東工大), 石川 暁(東工大), 鈴木 左文(東工大), |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルダイオード（RTD）はコンパクトな室温テラヘルツ（THz）光源として期待されているが,熱破壊の問題により小面積のRTDしか用いることができず, 出力は小さかった. そこで, 放熱の改善を目的にRTD層下の導電層を低熱伝導InGaAsから高熱伝導InPに変更したRTD構造を考案し, この基板上に矩形空洞共振器を用いたTHz発振器作製した. その結果, 0.61THzで 0.84 mW の高出力発振を得た. |
| 抄録(英) | Resonant tunneling diode (RTD) structure is one of the candidates for the terahertz (THz) sources. However, the output power is small, because a small RTD area must be employed due to heat destruction. In this study, the low-thermal conductive n+-InGaAs layer under the RTD layer, which disturbed heat dissipation to the substrate, was replaced by a high-thermal conductive n+-InP layer. Using this RTD structure, we fabricated THz oscillators with rectangular cavity resonator and large-area RTD. As a result, a high output power of 0.84 mW was achieved at 0.61 THz. |
| キーワード(和) | テラヘルツ(THz)発振器 / 共鳴トンネルダイオード (RTD) |
| キーワード(英) | Terahertz (THz) Oscillator / Resonant tunneling diode (RTD) |
| 資料番号 | ED2022-80,MWPTHz2022-51 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / MWPTHz |
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| 開催期間 | 2022/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 菅野 敦史(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Atsushi Kanno(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 冨士田 誠之(阪大) / 池田 研介(電中研) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Masayuki Fujita(Osaka Univ.) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) |
| 幹事氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 山口 祐也(NICT) / 渡邊 一世(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Yuya Yamaguchi(NICT) / Issei Watanabe(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 易 利(阪大) / 佐藤 昭(東北大) / 鈴木 左文(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Li Yi(Osaka Univ.) / Akira Satou(Tohoku Univ.) / Safumi Suzuki(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwave Photonics and Terahertz Photonic-Electronic Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 放熱と低導体損のための厚いInP導電層を用いた高出力共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-power resonant-tunneling-diode terahertz oscillator with thick InP conduction layer for heat dissipation and low conduction loss |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ(THz)発振器 / Terahertz (THz) Oscillator |
| キーワード(2)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード (RTD) / Resonant tunneling diode (RTD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 大基 / Hiroki Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤方 秀成 / Hidenari Fujikata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 韓 非凡 / Feifan Han |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 暁 / Akira Ishikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 左文 / Safumi Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 発表年月日 | 2022-12-20 |
| 資料番号 | ED2022-80,MWPTHz2022-51 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-319,MWPTHz-320 |
| ページ範囲 | pp.42-45(ED), pp.42-45(MWPTHz), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |