講演名 2022-12-08
3次元磁気メモリの実現に向けたCoPtの電解めっき膜
黄 童雙(東工大), 高村 陽太(東工大), 齋藤 美紀子(早大), エムディー マフムドゥル ハサン(早大), 荒木 大輝(早大), 本間 敬之(早大), 葛西 伸哉(物質・材料研究機構), 山田 啓介(岐阜大), 園部 義明(早大), 小野 輝男(京大), 中川 茂樹(東工大),
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抄録(和) CoPt alloy is the appropriate material for the stacking layers owing to strong PMA for Co-rich alloy and controllability of Ku by changing the Co composition. CoPt stacking layers with different alternatively Ku are required. To deposit such stacking layers, the electrodeposition condition has been studied. CoPt layers with various compositions were successfully deposited by adjusting the applied voltage. However, the surface thin film deposited by DC electrodeposition was too rough for spin device fabrication. We conducted pulse electrodeposition and obtained an ultra-thin film with smooth morphology and good magnetic property.
抄録(英) CoPt alloy is the appropriate material for the stacking layers owing to strong PMA for Co-rich alloy and controllability of Ku by changing the Co composition. CoPt stacking layers with different alternatively Ku are required. To deposit such stacking layers, the electrodeposition condition has been studied. CoPt layers with various compositions were successfully deposited by adjusting the applied voltage. However, the surface thin film deposited by DC electrodeposition was too rough for spin device fabrication. We conducted pulse electrodeposition and obtained an ultra-thin film with smooth morphology and good magnetic property.
キーワード(和)
キーワード(英) Three-dimensional domain wall motion memoryElectrodepositionCoPt alloyPerpendicular magnetic anisotropySpin-orbit torque
資料番号 MRIS2022-20
発行日 2022-12-01 (MRIS)

研究会情報
研究会 MRIS / ITE-MMS
開催期間 2022/12/8(から2日開催)
開催地(和) 愛媛大学 + オンライン開催
開催地(英) Ehime Univ. + Online
テーマ(和) 信号処理,磁気記録,一般
テーマ(英) Signal Processing and Others
委員長氏名(和) 田河 育也(東北工大)
委員長氏名(英) Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所)
幹事氏名(英) Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung)
幹事補佐氏名(和) 菊池 伸明(東北大) / 山路 俊樹(産総研)
幹事補佐氏名(英) Nobuaki Kikuchi(Tohoku Univ.) / Toshiki Yamaji(AIST)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Group on Multi-media Storage
本文の言語 ENG-JTITLE
タイトル(和) 3次元磁気メモリの実現に向けたCoPtの電解めっき膜
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrophoretically deposited CoPt film for realization of 3D domain wall motion memory
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Three-dimensional domain wall motion memoryElectrodepositionCoPt alloyPerpendicular magnetic anisotropySpin-orbit torque
第 1 著者 氏名(和/英) 黄 童雙 / Tongshuang Huang
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 高村 陽太 / Yota Takamura
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) 齋藤 美紀子 / Mikiko Saito
第 3 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) エムディー マフムドゥル ハサン / Md Mahmudul Hasan
第 4 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 荒木 大輝 / Daiki Araki
第 5 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 本間 敬之 / Takayuki Homma
第 6 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 葛西 伸哉 / Shinya Kasai
第 7 著者 所属(和/英) 国立研究開発法人物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 8 著者 氏名(和/英) 山田 啓介 / Keisuke Yamada
第 8 著者 所属(和/英) 岐阜大学(略称:岐阜大)
Gifu University(略称:Gifu Univ.)
第 9 著者 氏名(和/英) 園部 義明 / Yoshiaki Sonobe
第 9 著者 所属(和/英) 早稲田大学(略称:早大)
Waseda University(略称:Waseda Univ.)
第 10 著者 氏名(和/英) 小野 輝男 / Teruo Ono
第 10 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 11 著者 氏名(和/英) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa
第 11 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2022-12-08
資料番号 MRIS2022-20
巻番号(vol) vol.122
号番号(no) MRIS-297
ページ範囲 pp.11-16(MRIS),
ページ数 6
発行日 2022-12-01 (MRIS)