| 講演名 | 2022-11-24 ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 安部 功二(名工大), 久保田 佑(名工大), |
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| 抄録(和) | ゾル-ゲル法は，酸化亜鉛（ZnO）をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている．しかし，ゾル-ゲル法で成膜したZnO薄膜の抵抗率は比較的高く，アルミニウムやガリウム等のドナーを添加しても、抵抗率が低下しにくいという課題がある．本研究では，亜鉛膜を付けたガラス基板上に，Al添加ZnO薄膜（AZO）をゾル-ゲル法で成膜した．原料溶液をディップコートした直後の試料は不透明であったが，アルゴンと水素の混合雰囲気中，520 ?Cで1時間のアニールを行うと，亜鉛膜とディップコート膜中の酸素が反応して試料は透明になった．亜鉛膜付きの基板を用いることで，ホール移動度とキャリヤ密度が増加し，$1.4×10^−3$ $Omega$cmの抵抗率を持つAZO薄膜が得られた． |
| 抄録(英) | Sol-gel process is used to deposit oxide semiconductor thin films such as zinc oxide (ZnO). However, resistivity of ZnO thin films deposited by sol-gel method is relatively high, regardless of impurity doping. In this study, low-resistivity Al-doped ZnO thin films (AZO) were deposited on glass substrates with Zn layers by using sol-gel method. During annealing in Ar and H2 mixture at 520 ?C, the underlying Zn layer reacted with oxygen in the sol-gel deposited film. The AZO films after annealing were transparent. Hall mobility and carrier concentration were increased by using the glass substrates with Zn layers. The lowest resistivity obtained in this study was $1.4×10^−3$ $Omega$cm. |
| キーワード(和) | 酸化亜鉛 / 透明導電酸化膜 / ゾル-ゲル法 |
| キーワード(英) | zinc oxide / transparent conductive oxide / sol-gel deposition |
| 資料番号 | ED2022-30,CPM2022-55,LQE2022-63 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / LQE |
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| 開催期間 | 2022/11/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) / 高原 淳一(阪大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 葛西 誠也(北大) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-resistivity Al-doped ZnO transparent conductive films deposited by sol-gel method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化亜鉛 / zinc oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 透明導電酸化膜 / transparent conductive oxide |
| キーワード(3)（和/英） | ゾル-ゲル法 / sol-gel deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安部 功二 / Koji Abe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保田 佑 / Tasuku Kubota |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 発表年月日 | 2022-11-24 |
| 資料番号 | ED2022-30,CPM2022-55,LQE2022-63 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-271,CPM-272,LQE-273 |
| ページ範囲 | pp.33-36(ED), pp.33-36(CPM), pp.33-36(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |