| 講演名 | 2022-11-24 電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 志村 政英(名工大), 安部 功二(名工大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | あらまし 金属水酸化物は，難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり，その多くは電気化学堆積やゾルゲル法など比較的低温かつ簡単な装置で作製することができる．水酸化ニッケル（Ni(OH)$_2$）は透明な物質であり，その結晶構造から層状複水酸化物としての応用が期待されている．しかし，電子材料としての報告は少なく，半導体的性質も明らかではない．本研究では電気化学堆積でNi(OH)$_2$膜を作製し，半導体としての特性を調べた．本実験で作製したNi(OH)$_2$は水蒸気中でアニールすると結晶化した．また， 伝導型はn型であり， p型NiO膜上に積層したNi(OH)$_2$/NiOヘテロダイオードは明確な整流特性を示した． |
| 抄録(英) | Abstract Metal hydroxides are important inorganic materials used as flame retardants and precursors for metal oxide synthesis, and most of them can be prepared at relatively low temperatures using simple equipment such as electrochemical deposition and sol-gel methods. Nickel hydroxide (Ni(OH)$_2$) is a transparent material and is expected to be applied as a layered double hydroxide due to its crystal structure. However, there are few reports on its use as an electronic material, and its semiconducting properties are not clear yet. In this study, Ni(OH)$_2$ films were prepared by electrochemical deposition and their properties as semiconductors were investigated. After annealing in water vapor, the Ni(OH)$_2$ film was crystalized, and the conduction type of the film was n-type. n-Ni(OH)$_2$/p-NiO heterodiodes showed clear rectification characteristics. |
| キーワード(和) | 水酸化ニッケル / 酸化ニッケル / ヘテロ接合 / 電気化学堆積法 |
| キーワード(英) | nickel hydroxide / nickel oxide / heterojunction / electrochemical deposition |
| 資料番号 | ED2022-28,CPM2022-53,LQE2022-61 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/11/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) / 高原 淳一(阪大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 葛西 誠也(北大) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semiconducting properties of electrochemically deposited Ni(OH)2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水酸化ニッケル / nickel hydroxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化ニッケル / nickel oxide |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(4)（和/英） | 電気化学堆積法 / electrochemical deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 志村 政英 / Masahide Shimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nitech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安部 功二 / Koji Abe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nitech) |
| 発表年月日 | 2022-11-24 |
| 資料番号 | ED2022-28,CPM2022-53,LQE2022-61 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-271,CPM-272,LQE-273 |
| ページ範囲 | pp.23-26(ED), pp.23-26(CPM), pp.23-26(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |