| 講演名 | 2022-11-25 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 藤澤 孝博(名工大), 中林 泰希(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), 竹内 哲也(名城大), 岡田 成仁(山口大), 只友 一行(山口大), |
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| 抄録(和) | AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッド層への応用に向けて、完全緩和した半極性{11-22} Ga0.9In0.1N上に膜厚約400nmかつ高InNモル分率のAlInNを成長し、その評価を行った。成長したAlInNはInNモル分率0.306~0.444という高InNモル分率で、さらにRMSが1.5nm未満という比較的平坦な表面を有していることが確認できた。また、AlInNはほとんど格子緩和しており、下地から伝搬した基底面積層欠陥(BSFs)やそれとは異なる多くの転位が存在していたにも関わらず表面が平坦であった。c面GaN上に成長したAlInNと比較すると、半極性{11-22}Ga0.9In0.1N上AlInNは同じ成長温度であっても高InNモル分率が大きくなることを確認した。 |
| 抄録(英) | AlInN alloys are promising materials for GaN-based electronic and optical devices. In this study, AlInN layers with a thickness of about 400 nm and a high InN mole fraction were grown on fully relaxed semipolar {11-22} Ga0.9In0.1N for application to long-wavelength GaN-LDs cladding layers. and evaluated them. It was confirmed that the grown AlInN had high InN molar fractions ranging from 0.306 to 0.444 and relatively flat surfaces with an RMS of less than 1.5 nm. In addition, AlInN layers were almost relaxed, and the surfaces were flat despite the presence of basal plane layer defects (BSFs) propagated from the substrate and many different dislocations. When compared to AlInN grown on c-plane GaN, it was confirmed that AlInN layers on semipolar {11-22}Ga0.9In0.1N had higher InN mole fraction even at the same growth temperature. |
| キーワード(和) | 半極性 / {11-22} / MOCVD / AlInN |
| キーワード(英) | semipolar / {11-22} / MOCVD / AlInN |
| 資料番号 | ED2022-42,CPM2022-67,LQE2022-75 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / LQE |
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| 開催期間 | 2022/11/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) / 高原 淳一(阪大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 葛西 誠也(北大) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth temperature dependence of semipolar {11-22} AlInN/GaInN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半極性 / semipolar |
| キーワード(2)（和/英） | {11-22} / {11-22} |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | AlInN / AlInN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤澤 孝博 / Takahiro Fujisawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中林 泰希 / Taiki Nakabayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡田 成仁 / Narihito Okada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 山口大学(略称：山口大) Yamaguchi University(略称：Yamaguchi Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 只友 一行 / Kazuyuki Tadatomo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 山口大学(略称：山口大) Yamaguchi University(略称：Yamaguchi Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-11-25 |
| 資料番号 | ED2022-42,CPM2022-67,LQE2022-75 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-271,CPM-272,LQE-273 |
| ページ範囲 | pp.81-84(ED), pp.81-84(CPM), pp.81-84(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |