講演名 2022-11-30
LUTベースの光強度推定による高速なSRAF最適化手法
齊藤 颯太(東工大), 高橋 篤司(東工大),
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抄録(和) 近年,集積回路の微細化に伴い光リソグラフィにおいて転写パターンの忠実度の低下やプロセス変動耐性の低下が問題となっている.そのためOPC(Optical Proximity Correction)が行われるが,OPC に必要な時間は大きく,高い忠実度,高いプロセス変動耐性を高速に達成するOPC が求められている.本研究ではSRAF(Sub Resolution Assisting Feature)に着目し,LUT をベースとした特定の点の光強度計算を用いて SRAF を高速に最適化する手法を提案する.
抄録(英) Recent advances in technology nodes have led to problems in optical lithography such as reduced fidelity of transferred patterns and reduced robustness against process variations. However, the computation time required for OPC (Optical Proximity Correction) is large, and OPC that can achieve high fidelity and high process variation tolerance in short computation time is required. In this paper, we focus on SRAF (Sub Resolution Assisting Feature) and propose a method for fast optimization of SRAF using LUT based point intensity calculation.
キーワード(和) リソグラフィ / 解像度向上技術 / 光近接効果補正 / SRAF / PV band / 最急降下法
キーワード(英) computational lithography / RET / OPC / SRAF / PV band / Gradient descent
資料番号 VLD2022-40,ICD2022-57,DC2022-56,RECONF2022-63
発行日 2022-11-21 (VLD, ICD, DC, RECONF)

研究会情報
研究会 VLD / DC / RECONF / ICD / IPSJ-SLDM
開催期間 2022/11/28(から3日開催)
開催地(和) 金沢市文化ホール
開催地(英) Kanazawa Bunka Hall
テーマ(和) デザインガイア2022 -VLSI設計の新しい大地-
テーマ(英) Design Gaia 2022 -New Field of VLSI Design-
委員長氏名(和) 池田 奈美子(NTT) / 土屋 達弘(阪大) / 佐野 健太郎(理研) / 高橋 真史(キオクシア) / 越智 裕之(立命館大)
委員長氏名(英) Minako Ikeda(NTT) / Tatsuhiro Tsuchiya(Osaka Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Masafumi Takahashi(Kioxia) / Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.)
副委員長氏名(和) 中武 繁寿(北九州市大) / 細川 利典(日大) / 山口 佳樹(筑波大) / 泉 知論(立命館大) / 池田 誠(東大)
副委員長氏名(英) Shigetoshi Nakatake(Univ. of Kitakyushu) / Toshinori Hosokawa(Nihon Univ.) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Tomonori Izumi(Ritsumeikan Univ.) / Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo)
幹事氏名(和) 宮村 信(ナノブリッジ・セミコンダクター) / 今井 雅(弘前大) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 小林 悠記(NEC) / 佐藤 幸紀(豊橋技科大) / 新居 浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン) / 宮地 幸祐(信州大) / 川村 一志(東工大) / 今川 隆司(明大) / 細田 浩希(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 田中 勇気(日立)
幹事氏名(英) Makoto Miyamura(NBS) / Masashi Imai(Hirosaki Univ.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Yukinori Sato(Toyohashi Univ. of Tech.) / Koji Nii(TSMC) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Kazushi Kawamura(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Imagawa(Meiji Univ.) / Hiroki Hosoda(Sony Semiconductor Solutions) / Yuki Tanaka(HITACHI)
幹事補佐氏名(和) 西元 琢真(日立) / / 竹村 幸尚(インテル) / 長名 保範(琉球大学) / 吉原 義昭(キオクシア) / 塩見 準(阪大) / 久保木 猛(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
幹事補佐氏名(英) Takuma Nishimoto(Hitachi) / / Yukitaka Takemura(INTEL) / Yasunori Osana(Ryukyu Univ.) / Yoshiaki Yoshihara(KIOXIA) / Jun Shiomi(Osaka Univ.) / Takeshi Kuboki(Sony Semiconductor Solutions)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology
本文の言語 JPN
タイトル(和) LUTベースの光強度推定による高速なSRAF最適化手法
サブタイトル(和)
タイトル(英) A fast SRAF optimization used LUT based intensity estimation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) リソグラフィ / computational lithography
キーワード(2)(和/英) 解像度向上技術 / RET
キーワード(3)(和/英) 光近接効果補正 / OPC
キーワード(4)(和/英) SRAF / SRAF
キーワード(5)(和/英) PV band / PV band
キーワード(6)(和/英) 最急降下法 / Gradient descent
第 1 著者 氏名(和/英) 齊藤 颯太 / Sota Saito
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 篤司 / Atsushi Takahashi
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2022-11-30
資料番号 VLD2022-40,ICD2022-57,DC2022-56,RECONF2022-63
巻番号(vol) vol.122
号番号(no) VLD-283,ICD-284,DC-285,RECONF-286
ページ範囲 pp.121-126(VLD), pp.121-126(ICD), pp.121-126(DC), pp.121-126(RECONF),
ページ数 6
発行日 2022-11-21 (VLD, ICD, DC, RECONF)