| 講演名 | 2022-10-19 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 田沼 将一(東工大), Joong-Won Shin(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2022-63 |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2022/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(ASM Japan) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on threshold voltage control of MFSFET utilizing ferroelectric nondoped HfO2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田沼 将一 / Masakazu Tanuma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Joong-Won Shin / Joong-Won Shin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2022-10-19 |
| 資料番号 | SDM2022-63 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | SDM-215 |
| ページ範囲 | pp.38-42(SDM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) |