講演名 2022-10-28
陽極酸化法によるメモリスタ向け酸化モリブデンの作製と評価
永岡 千枝(信州大), ミョー タン テイ(信州大), 橋本 佳男(信州大),
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抄録(和) 抵抗変化型メモリスタの抵抗変化媒体として期待されているモリブデン酸化物を陽極酸化法によって作製し、その物性を詳細に調べた結果について述べる。生成されるモリブデン酸化物の種類は、酸化電圧および、酸化時間に依存している。MoO2が成長の初期に生成されやすく、MoO3とMo4O11が酸化時間の増加とともに生成される割合が増加することが分かった。
抄録(英) Molybdenum oxide, which is a potent resistive switching medium of memristors, is prepared by anodic oxidation technique and its material properties are evaluated in details. The formation of Molybdenum oxides is dependent on the oxidation voltage and reaction period. It is found that the formation of MoO2 phase is prominent at the initial state of growth, while the composition of that of the MoO3 and Mo4O11 phases are increased with reaction period.
キーワード(和) 酸化モリブデン / メモリスタ / 陽極酸化法
キーワード(英) Molybdenum oxide / Memristor / Anodic oxidation method
資料番号 MRIS2022-14,CPM2022-45
発行日 2022-10-20 (MRIS, CPM)

研究会情報
研究会 MRIS / CPM / ITE-MMS
開催期間 2022/10/27(から2日開催)
開催地(和) 信州大学+オンライン開催
開催地(英) Shinshu Univ.
テーマ(和) スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス+一般
テーマ(英) Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc.
委員長氏名(和) 田河 育也(東北工大) / 中村 雄一(豊橋技科大)
委員長氏名(英) Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
副委員長氏名(和) / 中澤 日出樹(弘前大)
副委員長氏名(英) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
幹事氏名(和) 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大)
幹事氏名(英) Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech)
幹事補佐氏名(和) 菊池 伸明(東北大) / 山路 俊樹(産総研) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大)
幹事補佐氏名(英) Nobuaki Kikuchi(Tohoku Univ.) / Toshiki Yamaji(AIST) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Group on Multi-media Storage
本文の言語 JPN
タイトル(和) 陽極酸化法によるメモリスタ向け酸化モリブデンの作製と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and Evaluation of Molybdenum Oxide for Memristors by Anodic Oxidation Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化モリブデン / Molybdenum oxide
キーワード(2)(和/英) メモリスタ / Memristor
キーワード(3)(和/英) 陽極酸化法 / Anodic oxidation method
第 1 著者 氏名(和/英) 永岡 千枝 / Chie Nagaoka
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学(略称:信州大)
Shinshu University(略称:Shinshu Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) ミョー タン テイ / Myo Than Htay
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学(略称:信州大)
Shinshu University(略称:Shinshu Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 橋本 佳男 / Yoshio Hashimoto
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学(略称:信州大)
Shinshu University(略称:Shinshu Univ.)
発表年月日 2022-10-28
資料番号 MRIS2022-14,CPM2022-45
巻番号(vol) vol.122
号番号(no) MRIS-230,CPM-231
ページ範囲 pp.33-36(MRIS), pp.33-36(CPM),
ページ数 4
発行日 2022-10-20 (MRIS, CPM)