| 講演名 | 2022-10-21 直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討 佐々木 龍耶(東工大), 勝山 造(東工大), 大礒 義孝(東工大), 菊地 健彦(東工大), エイッサ モータズ(東工大), 雨宮 智宏(東工大), 西山 伸彦(東工大), |
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| 抄録(和) | 光トランシーバの小型化・低消費電力化の実現には，集積化技術が重要となる．そこで，同一のエピウェハから特性の異なる直接接合GaInAsP/SOI光デバイスを作製するため，Si導波路幅での活性層光閉じ込め係数の制御範囲が大きいエピタキシャル層構造をシミュレーションによるモードフィールド計算により検討した．その結果，超格子層厚を604 nm仮定すると，シリコン導波路幅を0~5 μmの範囲で調整することで光閉じ込め係数は，2.0~4.2 %の範囲で変化させることができた．これをハイブリッドSOAへ適応することで，飽和光出力/利得は，20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dBとなり，広い範囲で特性を制御できることが期待される． |
| 抄録(英) | Integration technology is important to realize miniaturization and low power consumption of optical transceivers. To fabricate direct bonding GaInAsP/SOI optical devices with different characteristics from the same epi-wafer, we investigated epitaxial layer structures with a large control range of active-layer optical confinement coefficients in the Si waveguide width by mode-field calculation using simulations. As a result, assuming a superlattice layer thickness of 604 nm, the optical confinement factor can be varied from 2.0 to 4.2 % by adjusting the Si waveguide width in the range of 0 to 5 μm. By applying this method to a hybrid SOA, the saturation optical output power/gain is expected to be 20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dB, and the characteristics are expected to be controllable over a wide range. |
| キーワード(和) | 光集積回路 / シリコンフォトニクス |
| キーワード(英) | Photonic Integrated Circuit / Silicon photonics |
| 資料番号 | OCS2022-28,OPE2022-74,LQE2022-37 |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE / OCS / LQE |
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| 開催期間 | 2022/10/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 松山市民会館 小ホール |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 橋本 俊和(NTT) / 星田 剛司(富士通) / 高原 淳一(阪大) |
| 委員長氏名（英） | Toshikazu Hashimoto(NTT) / Takeshi Hoshida(Fujitsu) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 荒川 太郎(横浜国大) / / 西村 公佐(KDDI総合研究所) |
| 副委員長氏名（英） | Taro Arakawa(Yokohama National Univ.) / / Kosuke Nishimura(KDDI Research) |
| 幹事氏名（和） | 小林 弘和(高知工科大) / 村尾 覚志(三菱電機) / 山本 秀人(NTT) / 川口 雄揮(住友電工) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Hirokazu Kobayashi(Kochi Univ. of Tech) / Tadashi Murao(Mitsubishi Electric) / Shuto Yamamoto(NTT) / Yuki Kawaguchi(Sumitomo Electric Industries) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 石坂 雄平(関東学院大) / 梅木 毅伺(NTT) / / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuhei Ishizaka(Kanto Gakuin Univ.) / Takeshi Umeki(NTT) / / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Optical Communication Systems / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of layer structure for controlling optical confinement factor of active layer in direct bonding GaInAsP/SOI optical devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光集積回路 / Photonic Integrated Circuit |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 龍耶 / Ryuya Sasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大礒 義孝 / Yoshitaka Ooiso |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊地 健彦 / Takehiko kikuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | エイッサ モータズ / Moataz Eissa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2022-10-21 |
| 資料番号 | OCS2022-28,OPE2022-74,LQE2022-37 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | OCS-216,OPE-217,LQE-218 |
| ページ範囲 | pp.60-63(OCS), pp.60-63(OPE), pp.60-63(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |