| 講演名 | 2022-10-21 5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 菅野 絵理奈(NTT), 武田 浩司(NTT), 藤井 拓郎(NTT), 硴塚 孝明(NTT), 松尾 慎治(NTT), |
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| 抄録(和) | チップ間通信のような短距離通信に光インターコネクトを導入するため、極低消費電力で動作する光源が求められている。そこで我々は、活性層長を短くし、InGaAsP導波路を用いてDBRの損失を抑制することにより、レーザの低消費電力化を目指した。活性層長5〜80 umのDBRレーザの室温連続発振、及び直接変調に成功し、活性層長5 umのレーザにおいて、しきい値電流51 uA、変調効率18.9 GHz/mA0.5、消費エネルギー24 fJ/bit で10 Gbit/sのアイ開口を確認し、短活性層長化による消費エネルギー削減の効果を確認した。 |
| 抄録(英) | In order to introduce optical interconnects into short-distance interconnects, ultra-low power consumption lasers are needed. We tried to reduce the power consumption of lasers by shortening the length of the active region and suppressing the loss of the DBRs by using an InGaAsP waveguide. We have successfully achieved continuous wave operation at room temperature and direct modulation of DBR lasers with the active layer lengths between 5 and 80 um. For a laser with an active layer length of 5 um, we observed the threshold current of 51 uA, modulation efficiency of 18.9 GHz/mA0.5, and 24-fJ/bit energy cost with 10-Gbit/s NRZ signal modulation. |
| キーワード(和) | DBRレーザ / メンブレンレーザ / 短共振器レーザ / オンシリコンレーザ / ウエハ接合 |
| キーワード(英) | DBR laser / membrane laser / short cavity laser / III-V on Si / wafer bonding |
| 資料番号 | OCS2022-36,OPE2022-82,LQE2022-45 |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE / OCS / LQE |
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| 開催期間 | 2022/10/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 松山市民会館 小ホール |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 橋本 俊和(NTT) / 星田 剛司(富士通) / 高原 淳一(阪大) |
| 委員長氏名（英） | Toshikazu Hashimoto(NTT) / Takeshi Hoshida(Fujitsu) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 荒川 太郎(横浜国大) / / 西村 公佐(KDDI総合研究所) |
| 副委員長氏名（英） | Taro Arakawa(Yokohama National Univ.) / / Kosuke Nishimura(KDDI Research) |
| 幹事氏名（和） | 小林 弘和(高知工科大) / 村尾 覚志(三菱電機) / 山本 秀人(NTT) / 川口 雄揮(住友電工) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Hirokazu Kobayashi(Kochi Univ. of Tech) / Tadashi Murao(Mitsubishi Electric) / Shuto Yamamoto(NTT) / Yuki Kawaguchi(Sumitomo Electric Industries) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 石坂 雄平(関東学院大) / 梅木 毅伺(NTT) / / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuhei Ishizaka(Kanto Gakuin Univ.) / Takeshi Umeki(NTT) / / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Optical Communication Systems / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low energy direct modulation of a 5-um-long active region on Si DBR laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DBRレーザ / DBR laser |
| キーワード(2)（和/英） | メンブレンレーザ / membrane laser |
| キーワード(3)（和/英） | 短共振器レーザ / short cavity laser |
| キーワード(4)（和/英） | オンシリコンレーザ / III-V on Si |
| キーワード(5)（和/英） | ウエハ接合 / wafer bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菅野 絵理奈 / Erina Kanno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / Koji Takeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) NTT Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2022-10-21 |
| 資料番号 | OCS2022-36,OPE2022-82,LQE2022-45 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | OCS-216,OPE-217,LQE-218 |
| ページ範囲 | pp.100-103(OCS), pp.100-103(OPE), pp.100-103(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |