| 講演名 | 2022-10-27 磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討 井口 颯太(阪大), 藤原 壮甫(阪大), 豊木 研太郎(阪大), 白土 優(阪大), 中谷 亮一(阪大), |
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| 抄録(和) | 磁気抵抗(MR)効果素子やTHz帯で動作可能な磁気デバイスの発展には，反強磁性体のライブラリ 拡大が必要不可欠である.通常，バルクの反強磁性体の磁気構造の評価には中性子回折法が用いられるが，中性子 は物質との相互作用が弱いため薄膜試料に対しては適用困難である.そこで本研究では，反強磁性体薄膜の磁気構 造をMR効果の測定により明らかにすることを目指して，C11b Cr2Al(001)薄膜のMR効果の電流・磁場方位依存 性を測定した.その結果，Cr の磁気モーメントに由来する異常 MR 効果の存在を確認し，その磁場印加方位依存性 から磁気モーメントは c 面内にあると推測した.一方，(001)内での磁気秩序を決めるには更なる検討が必要である. |
| 抄録(英) | The enrichment of library for antiferromagnetic material is essential for the development of magnetoresistance (MR) devices and magnetic devices with THz operation. Neutron diffraction, which has been usually used to evaluate the magnetic structure of bulk antiferromagnets, is difficult to be applied to thin films. In this study, we investigated the magnetic structure of antiferromagnetic thin films via the current and magnetic field orientation dependence of the MR effect in C11b Cr2Al (001) thin films. As results, we confirmed the existence of the anomalous MR effect originating from the magnetic moment of Cr and inferred that the magnetic moment lies in the c-plane from the rotational symmetry. Further investigation is needed to determine the magnetic ordering in the c-plane. |
| キーワード(和) | 反強磁性体 / 磁気抵抗効果 |
| キーワード(英) | Antiferromagnetic material / Magnetoresistive effect |
| 資料番号 | MRIS2022-6,CPM2022-37 |
| 発行日 | 2022-10-20 (MRIS, CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS / CPM / ITE-MMS |
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| 開催期間 | 2022/10/27(から2日開催) |
| 開催地（和） | 信州大学＋オンライン開催 |
| 開催地（英） | Shinshu Univ. |
| テーマ（和） | スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） | Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 田河 育也(東北工大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 菊池 伸明(東北大) / 山路 俊樹(産総研) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Nobuaki Kikuchi(Tohoku Univ.) / Toshiki Yamaji(AIST) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Group on Multi-media Storage |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of magnetic structure of C11b Cr-Al thin film by magnetoresistance effect measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反強磁性体 / Antiferromagnetic material |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気抵抗効果 / Magnetoresistive effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井口 颯太 / Sota Iguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤原 壮甫 / Sosuke Fujiwara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 豊木 研太郎 / Kentaro Toyoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 白土 優 / Yu Shiratsuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中谷 亮一 / Ryouichi Nakatani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-10-27 |
| 資料番号 | MRIS2022-6,CPM2022-37 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | MRIS-230,CPM-231 |
| ページ範囲 | pp.1-5(MRIS), pp.1-5(CPM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-10-20 (MRIS, CPM) |