| 講演名 | 2022-08-25 ［招待講演］高信頼性SiCパワー半導体デバイスの実現に向けたウェハ品質評価解析技術開発 先﨑 純寿(産総研), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 省エネルギー化やパワエレ製品の小型軽量化を実現するSiCパワー半導体デバイスを搭載した様々な電源やインバータ等の実用化が進んでいる．しかし，SiCウェハ品質がデバイス信頼性や歩留まりを低下させるため，今後の電気自動車やインフラなどへのシステム応用にはSiCウェハの高品質化と安定供給が喫緊の課題となる．本講演では，この課題解決を支援するSiCウェハ品質評価解析技術開発とその国際標準化の取り組みについて紹介する． |
| 抄録(英) | Various power supplies and inverters equipped with SiC power semiconductor devices that realize energy saving and miniaturization and weight reduction of power electronics products are being put into practical use. However, since the quality of SiC wafers reduces the reliability and yield of devices, it is an urgent issue to improve the quality and stable supply of SiC wafers for system application to electric vehicles and infrastructure in the future. In this presentation, we report on the development of quality evaluation and analysis technology for SiC wafers and their international standardization efforts to support the practical application of SiC power semiconductor devices. |
| キーワード(和) | パワー半導体 / SiC / 欠陥検査 / デバイス信頼性 / 国際標準化 |
| キーワード(英) | Power Semiconductor / SiC / Defect Inspection / Device Reliability / International Standard |
| 資料番号 | R2022-17,EMD2022-5,CPM2022-22,OPE2022-48,LQE2022-11 |
| 発行日 | 2022-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD / R / LQE / OPE / CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/8/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 上野 貴博(日本工大) / 土肥 正(広島大) / 高原 淳一(阪大) / 橋本 俊和(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Takahiro Ueno(Nippon Inst. of Tech.) / Tadashi Dohi(Hiroshima Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) / Toshikazu Hashimoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | / 門田 靖(リコー) / 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 荒川 太郎(横浜国大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | / Yasushi Kadota(Ricoh) / Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Taro Arakawa(Yokohama National Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 林 優一(奈良先端大) / 宮永 和明(富士通コンポーネント) / 岡村 寛之(広島大) / 井上 真二(関西大) / 田中 信介(富士通) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 小林 弘和(高知工科大) / 村尾 覚志(三菱電機) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Hayashi(ＮＡＩＳＴ) / Kazuaki Miyanaga(Fujitsu Component) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) / Hirokazu Kobayashi(Kochi Univ. of Tech) / Tadashi Murao(Mitsubishi Electric) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 萓野 良樹(電通大) / 横川 慎二(電通大) / 吉川 隆英(富士通研) / 作村 建紀(法政大) / 西島 喜明(横浜国大) / 西山 伸彦(東工大) / 石坂 雄平(関東学院大) / 梅木 毅伺(NTT) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) / Takahide Yoshikawa(Fujitsu Lab.) / Takenori Sakumura(Housei Univ.) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yuhei Ishizaka(Kanto Gakuin Univ.) / Takeshi Umeki(NTT) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］高信頼性SiCパワー半導体デバイスの実現に向けたウェハ品質評価解析技術開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Development of wafer quality evaluation platform for realization of high-reliable SiC power semiconductor devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワー半導体 / Power Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥検査 / Defect Inspection |
| キーワード(4)（和/英） | デバイス信頼性 / Device Reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 国際標準化 / International Standard |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 先﨑 純寿 / Junji Senzaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2022-08-25 |
| 資料番号 | R2022-17,EMD2022-5,CPM2022-22,OPE2022-48,LQE2022-11 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | R-156,EMD-157,CPM-158,OPE-159,LQE-160 |
| ページ範囲 | pp.7-12(R), pp.7-12(EMD), pp.7-12(CPM), pp.7-12(OPE), pp.7-12(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |