講演名 2022-08-04
バッファ層を用いたGGG基板上のBaTiO3の成長と特性
蓮見 琉(豊橋技科大), 河野 夏輝(豊橋技科大), 中村 雄一(豊橋技科大),
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抄録(和) 我々の研究室では,マルチフェロイック複合膜を用いた磁気光学空間光変調器(MOSLM)の実現に向けて,Bi置換希土類鉄ガーネット(Bi:RIG)が配向しやすいGGG基板上に,Bi:RIGとバッファ層上に形成した圧電材料を同時に成長させることを想定している.本研究ではGGG(111)基板上に形成したバッファ層上にBaTiO3 (BTO)を成長させ,評価した結果について調査した.バッファ層にはCoFe2O4 (CFO)と NiFe2O4 (NFO)を成膜し,NFOの比率を変えて比較を行った.結果として,極点図解析においてBTO膜はバッファ層上に面内回転した複数のドメインを形成して成長していることがわかり,面内回転の度合いはNFOの厚さに影響される可能性があることがわかった.また誘電特性において,NFO比率の増加に伴い飽和分極Pcが大きくなることがわかった.
抄録(英) In our laboratory, we have been working to realize magneto-optical spatial light modulators (MOSLMs) with multiferroic composite films, in which Bi-substituted rare earth iron garnets (Bi:RIG) and piezo-electric materials are grown simultaneously on GGG substrates, where piezoelectric materials are formed on buffer layers. In this study, BaTiO3 (BTO) was grown on a buffer layer formed on a GGG (111) substrate, and the results of evaluation were investigated. CoFe2O4 (CFO) and NiFe2O4 (NFO) were deposited on the buffer layer, and different ratios of NFO were used for comparison. As a result, the pole figure analysis showed that the (111) aligned BTO film with multiple in-plane rotated domains grew on the buffer layer , and the degree of in-plane rotation may be affected by the thickness of the NFO. For dielectric properties, the saturation polarization Pc was found to increase with increasing NFO ratio.
キーワード(和) BaTiO3 / バッファ層
キーワード(英) BaTiO3 / buffer layer
資料番号 CPM2022-12
発行日 2022-07-28 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2022/8/4(から2日開催)
開催地(和) 北見工業大学
開催地(英)
テーマ(和) 電子部品・材料,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 中村 雄一(豊橋技科大)
委員長氏名(英) Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
副委員長氏名(和) 中澤 日出樹(弘前大)
副委員長氏名(英) Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
幹事氏名(和) 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大)
幹事氏名(英) Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech)
幹事補佐氏名(和) 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大)
幹事補佐氏名(英) Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) バッファ層を用いたGGG基板上のBaTiO3の成長と特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Growth and properties of BaTiO3 on GGG substrate with buffer layer(s)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) BaTiO3 / BaTiO3
キーワード(2)(和/英) バッファ層 / buffer layer
第 1 著者 氏名(和/英) 蓮見 琉 / Ryu Hasumi
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:TUT)
第 2 著者 氏名(和/英) 河野 夏輝 / Natsuki Kono
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:TUT)
第 3 著者 氏名(和/英) 中村 雄一 / Yuichi Nakamura
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:TUT)
発表年月日 2022-08-04
資料番号 CPM2022-12
巻番号(vol) vol.122
号番号(no) CPM-147
ページ範囲 pp.3-6(CPM),
ページ数 4
発行日 2022-07-28 (CPM)