講演名 | 2022-08-18 Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 中村 駿斗(東京理科大), 青木 裕雅(東京理科大), 甲斐 洋行(東京理科大), 木下 健太郎(東京理科大), |
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抄録(和) | Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が,シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可能であるとして,近年盛んに研究が行われている.実用化のためには抵抗緩和現象の詳細を理解し,制御する必要がある.本研究では,Pt/Nb:STO接合の$I$-$V$および$C$-$V$測定を緩和中のデバイスに対して連続的に行うことで,緩和中のショットキーパラメータ(SP)の時間依存性を抽出した.抵抗スイッチング(RS)後のPt/Nb:STOにおけるSPの時間依存性が簡便な方法で得られることを示した. |
抄録(英) | |
キーワード(和) | Wide bandgap oxide / Nb-doped SrTiO$_3$ / Schottky / Resistive switching / Retention / Interfacial layer |
キーワード(英) | |
資料番号 | ED2022-22 |
発行日 | 2022-08-11 (ED) |
研究会情報 | |
研究会 | ED / IEE-BMS / IEE-MSS |
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開催期間 | 2022/8/18(から1日開催) |
開催地(和) | 機械振興会館 |
開催地(英) | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-2 |
テーマ(和) | センサ,MEMS,一般 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 藤代 博記(東京理科大) / 工藤 寛之(明治大学) / 佐々木 実(豊田工業大学) |
委員長氏名(英) | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / 工藤 寛之(明治大学) / 佐々木 実(豊田工業大学) |
副委員長氏名(和) | 葛西 誠也(北大) / / 寒川 雅之(新潟大学) |
副委員長氏名(英) | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / / 寒川 雅之(新潟大学) |
幹事氏名(和) | 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 永井 萌土(豊橋技術科学大学) / 田畑 美幸(東京医科歯科大学) / 櫻井 淳平(名古屋大学) |
幹事氏名(英) | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / 永井 萌土(豊橋技術科学大学) / 田畑 美幸(東京医科歯科大学) / 櫻井 淳平(名古屋大学) |
幹事補佐氏名(和) | 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / / 神田 健介(兵庫県立大学) |
幹事補佐氏名(英) | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / / 神田 健介(兵庫県立大学) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Bio Micro Systems / Technical Committee on Micromachine and Sensor System |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 |
サブタイトル(和) | AIデバイス応用に向けて |
タイトル(英) | Mechanism elucidation of resistance relaxation phenomena in Pt/Nb: SrTiO3 junctions |
サブタイトル(和) | Toward the application of AI devices |
キーワード(1)(和/英) | Wide bandgap oxide |
キーワード(2)(和/英) | Nb-doped SrTiO$_3$ |
キーワード(3)(和/英) | Schottky |
キーワード(4)(和/英) | Resistive switching |
キーワード(5)(和/英) | Retention |
キーワード(6)(和/英) | Interfacial layer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中村 駿斗 / Hayato Nakamura |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京理科大学(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Sci.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 青木 裕雅 / Hiromasa Aoki |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京理科大学(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Sci.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 甲斐 洋行 / Hiroyuki Kai |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京理科大学(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Sci.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京理科大学(略称:東京理科大) Tokyo University of Science(略称:Tokyo Univ. of Sci.) |
発表年月日 | 2022-08-18 |
資料番号 | ED2022-22 |
巻番号(vol) | vol.122 |
号番号(no) | ED-152 |
ページ範囲 | pp.21-24(ED), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2022-08-11 (ED) |