| 講演名 | 2022-08-08 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果 米崎 晴貴(金沢工大), 井田 次郎(金沢工大), 森 貴之(金沢工大), 石橋 孝一郎(電通大), |
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| 抄録(和) | 本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNBT) SOI-FET”の試作結果について初めて報告する. 我々の研究室では, 今までに極低消費電力で動作するCMOS集積回路の実現に向けて, 急峻なSubthreshold Slope (SS) を持つ”PN-Body Tied (PNBT) SOI-FET” の提案をしている. しかし, PNBT SOI-FETで急峻なSSを得るためにはBody電圧に0.7 V程度以上の電圧を印加する必要がある. また, ターンオフ時に過渡的なリーク電流が流れることが分かっている. これらの問題を解決するために 新構造の”Dual-Gate (DG) 型PNBT SOI-FET” を研究室で考案した. 今回, 試作結果としてDG型PNBT SOI-FETでも始めて急峻なSSを確認した. また, セカンドゲートによって, 急峻なSSを引き起こす1st Gate電圧の制御が可能であることが分かった. |
| 抄録(英) | In this study, we report the first prototype results of a Steep SS "Dual-Gate (DG) PN-Body Tied (PNBT) SOI-FET" for extremely low-voltage operation. In our laboratory, we have proposed a "PN-Body Tied (PNBT) SOI-FET" with a steep Subthreshold Slope (SS) to realize CMOS integrated circuits with extremely low power consumption. However, it has been found that the PNBT SOI-FET requires a body voltage of about 0.7 V or higher to obtain a steep SS. It is also known that leakage current flows during turn-off. To solve these problems, a new structure of "Dual-Gate (DG) type PNBT SOI-FET" was proposed in our laboratory. As a result, we confirmed steep SS even in the DG-type PNBT SOI-FET. It was also found that the 1st gate voltage, which triggers steep SS, can be controlled by the 2nd gate. |
| キーワード(和) | SOI-FET / Steep Subthreshold Slope |
| キーワード(英) | SOI-FET / Steep Subthreshold Slope |
| 資料番号 | SDM2022-38,ICD2022-6 |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2022/8/8(から3日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 高橋 真史(キオクシア) / 大見 俊一郎(東工大) / 秋田 純一(金沢大) |
| 委員長氏名（英） | Masafumi Takahashi(Kioxia) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / 秋田 純一(金沢大) |
| 副委員長氏名（和） | 池田 誠(東大) / 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo) / Tatsuya Usami(ASM Japan) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 宮地 幸祐(信州大) / 新居 浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン) / 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) |
| 幹事氏名（英） | Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Koji Nii(TSMC) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) |
| 幹事補佐氏名（和） | 塩見 準(阪大) / 吉原 義昭(キオクシア) / 久保木 猛(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) / 山下 雄一郎(TSMC) / 大倉 俊介(立命館大) / 竹本 良章(メムスコア) |
| 幹事補佐氏名（英） | Jun Shiomi(Osaka Univ.) / Yoshiaki Yoshihara(キオクシア) / Takeshi Kuboki(Sony Semiconductor Solutions) / Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) / 山下 雄一郎(TSMC) / 大倉 俊介(立命館大) / 竹本 良章(メムスコア) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Steep Subthreshold Slope Device "Dual-gate type PN-body Tied SOI-FET" for Ultra-low Voltage Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI-FET / SOI-FET |
| キーワード(2)（和/英） | Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 米崎 晴貴 / Haruki Yonezaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2022-08-08 |
| 資料番号 | SDM2022-38,ICD2022-6 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | SDM-148,ICD-149 |
| ページ範囲 | pp.17-20(SDM), pp.17-20(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) |