| 講演名 | 2022-08-08 ［招待講演］3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 諸岡 哲(キオクシア), |
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| 抄録(和) | 3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セルには、背面セルのリーク電流による読出動作不良、フリンジ寄生チャネルによる書込消去特性劣化、チャネル面積縮小に伴うランダムテレグラフノイズ（RTN）の劣化という課題があると考えられている。本発表では、これらの課題を解決することによりゲート分断構造セルで4ビット/セル（Quadruple-Level Cell/QLC）以上の多値化が実現可能であることを示す。 |
| 抄録(英) | Control gate split cell structure for increasing the cell density by foot-print reduction has several challenges such as leakage current of back-side cells, P/E window reduction due the fringing field effect, and random telegraph noise (RTN) increase due to smaller cell area. In this work, we overcome these challenges by optimizing read operation and cell structures, and experimentally demonstrate more than four bit/cell operation by split-gate cell arrays. |
| キーワード(和) | 3Dフラッシュメモリ / 高集積化 / ゲート分断 / フローティングゲート / 超多値化 |
| キーワード(英) | 3D Flash Memory / Bit density / Split-gate / Floating gate / Multi-bits/cell |
| 資料番号 | SDM2022-36,ICD2022-4 |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2022/8/8(から3日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 高橋 真史(キオクシア) / 大見 俊一郎(東工大) / 秋田 純一(金沢大) |
| 委員長氏名（英） | Masafumi Takahashi(Kioxia) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / 秋田 純一(金沢大) |
| 副委員長氏名（和） | 池田 誠(東大) / 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 副委員長氏名（英） | Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo) / Tatsuya Usami(ASM Japan) / 池辺 将之(北大) / 廣瀬 裕(パナソニック) |
| 幹事氏名（和） | 宮地 幸祐(信州大) / 新居 浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン) / 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) |
| 幹事氏名（英） | Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Koji Nii(TSMC) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 船津 良平(NHK) |
| 幹事補佐氏名（和） | 塩見 準(阪大) / 吉原 義昭(キオクシア) / 久保木 猛(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) / 山下 雄一郎(TSMC) / 大倉 俊介(立命館大) / 竹本 良章(メムスコア) |
| 幹事補佐氏名（英） | Jun Shiomi(Osaka Univ.) / Yoshiaki Yoshihara(キオクシア) / Takeshi Kuboki(Sony Semiconductor Solutions) / Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) / 山下 雄一郎(TSMC) / 大倉 俊介(立命館大) / 竹本 良章(メムスコア) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Optimal Cell Structure/Operation Design of 3D Semicircular Split-gate Cells for Ultra-high-density Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3Dフラッシュメモリ / 3D Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 高集積化 / Bit density |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート分断 / Split-gate |
| キーワード(4)（和/英） | フローティングゲート / Floating gate |
| キーワード(5)（和/英） | 超多値化 / Multi-bits/cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 諸岡 哲 / Tetsu Morooka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社(略称：キオクシア) Kioxia Corp.(略称：Kioxia) |
| 発表年月日 | 2022-08-08 |
| 資料番号 | SDM2022-36,ICD2022-4 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | SDM-148,ICD-149 |
| ページ範囲 | pp.12-12(SDM), pp.12-12(ICD), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) |