| 講演名 | 2022-05-27 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 佐藤 威友(北大), 渡久地 政周(北大), |
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| 抄録(和) | 電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN多孔質層の屈折率は開口率により制御可能であり，その光反射率は開口率に依存して低減した．また，GaN多孔質構造と電解液との界面を利用した光電変換効率は，未加工試料と比較して約40%増大し，基礎吸収端の長波長シフトが観測された．母体材料の高い結晶品質を受け継いだGaN多孔質構造のこれらの特徴は，機能性材料として有用である． |
| 抄録(英) | A gallium nitride (GaN) porous structure was formed by wet etching utilizing electrochemical reactions. The refractive index of the GaN porous layer can be controlled by the porosity or aperture ratio, and its optical reflectance decreases depending on that. The incident-photon-to-current conversion efficiency (IPCE) of the interface between the GaN porous structure and the electrolyte increased by about 40% compared to that obtained on the unprocessed sample, and the basic absorption edge of the GaN porous structure was shifted in the long-wavelength direction. These characteristics of the GaN porous structure that has the high crystal quality are useful as a functional material. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 電気化学エッチング / 多孔質構造 |
| キーワード(英) | Gallium Nitride / Electrochemical Etching / Porous Structure |
| 資料番号 | ED2022-13,CPM2022-7,SDM2022-20 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2022/5/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) / 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wet etching of GaN utilizing a photo-electrochemical reaction for functional materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学エッチング / Electrochemical Etching |
| キーワード(3)（和/英） | 多孔質構造 / Porous Structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-05-27 |
| 資料番号 | ED2022-13,CPM2022-7,SDM2022-20 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-52,CPM-53,SDM-54 |
| ページ範囲 | pp.25-28(ED), pp.25-28(CPM), pp.25-28(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |