| 講演名 | 2022-05-27 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 瓜生 和也(北陸先端大/アドバンテスト研), 木内 翔太(北陸先端大), 佐藤 拓(アドバンテスト研), 鈴木 寿一(北陸先端大), |
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| 抄録(和) | 一般に, オーミック金属下半導体の電気的特性は, オーミックコンタクト形成前から変化している. これまでに, オーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は知られていたが, シートキャリア密度および移動度を評価する手法はなかった. 我々は, オーミック金属下半導体のシート抵抗に加え, シートキャリア密度と移動度を評価する方法として, 多端子ホール素子を用いた手法を開発した. この手法をAlGaN/GaNヘテロ構造へ適用し, オーミック金属下の特性を明らかにした. |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / オーミックコンタクト / 多端子ホール測定 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / Ohmic contact / multi-probe Hall measurement |
| 資料番号 | ED2022-15,CPM2022-9,SDM2022-22 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2022/5/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) / 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals by using multi-probe Hall devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | オーミックコンタクト / Ohmic contact |
| キーワード(3)（和/英） | 多端子ホール測定 / multi-probe Hall measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瓜生 和也 / Kazuya Uryu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学/アドバンテスト研究所(略称：北陸先端大/アドバンテスト研) Japan Advanced Institute of Science and Technology/Advantest Laboratories Ltd.(略称：JAIST/ATL) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木内 翔太 / Shota Kiuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学(略称：北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称：JAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 拓 / Taku Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | アドバンテスト研究所(略称：アドバンテスト研) Advantest Laboratories Ltd.(略称：ATL) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学(略称：北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称：JAIST) |
| 発表年月日 | 2022-05-27 |
| 資料番号 | ED2022-15,CPM2022-9,SDM2022-22 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-52,CPM-53,SDM-54 |
| ページ範囲 | pp.35-38(ED), pp.35-38(CPM), pp.35-38(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |