| 講演名 | 2022-05-27 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 福島 孝晃(豊橋技科大), ホセ ピエドラ ロレンサナ(豊橋技科大), 土谷 塁(豊橋技科大), 飛沢 健(豊橋技科大), 石川 靖彦(豊橋技科大), |
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| 抄録(和) | SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性向上に有効である。反応性スパッタリングにより低温（200?C）堆積したSiNx膜を利用した低損失光導波路を報告するとともに、SiNxと同等の高い屈折率（約2.0）を有するAlN膜の形成に反応性スパッタリングを応用した結果を述べる。SiNxは電気光学効果を示さないが、0.1 pm/Vオーダーの電気光学係数を有するAlNを利用することにより、光強度変調器などの光制御デバイスの実現が期待できる。 |
| 抄録(英) | SiNx possesses a thermo-optic coefficient smaller by approximately one order of magnitude than that of Si, being effective for fabricating Si photonics devices such as an optical multiplexer/demultiplexer with a thermally stable operation. A low-loss optical waveguide is reported using a SiNx film deposited by reactive sputtering at a relatively low deposition temperature of 200?C. An AlN film with a refractive index as large as 2.0, similar to SiNx, is also deposited by reactive sputtering. No electro-optic effect is present in SiNx, while AlN ideally possesses an electro-optic coefficient on the order of 0.1 pm/V, potentially realizing optical modulation/switching devices including an optical intensity modulator. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / 反応性スパッタリング / 低温堆積 / 窒化シリコン / 窒化アルミニウム |
| キーワード(英) | Silicon photonics / Reactive sputtering / Low-Temperature deposition / Silicon nitride / Aluminum nitride |
| 資料番号 | ED2022-10,CPM2022-4,SDM2022-17 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2022/5/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) / 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reactive Sputtering of Nitride Dielectric Film for Silicon Photonics Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性スパッタリング / Reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 低温堆積 / Low-Temperature deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化シリコン / Silicon nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福島 孝晃 / Takaaki Fukushima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ホセ ピエドラ ロレンサナ / Jose A. Piedra Lorenzana |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土谷 塁 / Rui Tsuchiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飛沢 健 / Takeshi Hizawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Univ. Tech.) |
| 発表年月日 | 2022-05-27 |
| 資料番号 | ED2022-10,CPM2022-4,SDM2022-17 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-52,CPM-53,SDM-54 |
| ページ範囲 | pp.13-16(ED), pp.13-16(CPM), pp.13-16(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |