| 講演名 | 2022-05-27 Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長 車井 健慎(日大), 寺地 勇博(日大), 田村 怜太(日大), 岩田 展幸(日大), |
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| 抄録(和) | 電子型強誘電体として知られているYbFe2O4薄膜をAl2O3(0001)基板および, YSZ(111)基板上にパルスレーザー堆積法を用いて作製した. Fe3O4バッファ層を挿入し, 格子ミスマッチの軽減を行なった. YbFe2O4/ Fe3O4//Al2O3(0001)の表面像より, YbFe2O4構造的特徴を示す60°の内角をもつファセット面を確認した. ?スキャンの結果より, Al2O3{0 -1 1 4}の結晶ピークが120°ごとに出現したのに対し, Fe3O4{1 1 3}およびYbFe2O4{0 -1 1 4}の結晶ピークは60°ごとに出現した. Fe3O4{1 1 3}の結晶ピークはAl2O3{0 -1 1 4}, YbFe2O4{0 -1 1 4}に対して±30°ずれた位置に結晶ピークが出現した. YbFe2O4とFe3O4の結晶面は本来3回軸の対称性を示すので, 双晶が成長していることがわかった. よってc-Al2O3基板と薄膜の面内エキタピシャル関係はYbFe2O4[-1-20]h[210]h[-110]h / Fe3O4[2-1-1]c[-12-1]c[-1-12]c//Al2O3[-1-20]h[210]h[-110]h, YbFe2O4[1-10]h[120]h[-2-10]h / Fe3O4[11-2]c[-211]c[1-21]c // Al2O3[-1-20]h[210]h[-110]hの４つの成長関係であることがわかった. |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 電子型強誘電体 / YbFe2O4 / パルスレーザー堆積法 / 単相膜 / 積層膜 / 格子ミスマッチ |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2022-14,CPM2022-8,SDM2022-21 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2022/5/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) / 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth of YbFe2O4 Thin Films on Al2O3(0001) and YSZ(111) Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子型強誘電体 |
| キーワード(2)（和/英） | YbFe2O4 |
| キーワード(3)（和/英） | パルスレーザー堆積法 |
| キーワード(4)（和/英） | 単相膜 |
| キーワード(5)（和/英） | 積層膜 |
| キーワード(6)（和/英） | 格子ミスマッチ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 車井 健慎 / Kenshin Kurumai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学(略称：日大) Nihon University(略称：Nihon Univ) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺地 勇博 / Takehiro Teraji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学(略称：日大) Nihon University(略称：Nihon Univ) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田村 怜太 / Reo Tamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学(略称：日大) Nihon University(略称：Nihon Univ) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学(略称：日大) Nihon University(略称：Nihon Univ) |
| 発表年月日 | 2022-05-27 |
| 資料番号 | ED2022-14,CPM2022-8,SDM2022-21 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | ED-52,CPM-53,SDM-54 |
| ページ範囲 | pp.29-34(ED), pp.29-34(CPM), pp.29-34(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |