| 講演名 | 2022-04-23 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 森本 敦己(熊本高専), 阿部 陸斗(熊本高専), 平井 杏奈(熊本高専), 平井 杜和(熊本高専), 高倉 健一郎(熊本高専), 角田 功(熊本高専), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手法は低温形成と引き換えに結晶への金属混入によるデバイス特性の劣化が生じてしまう．そのため，非晶質半導体中に金属が拡散してもGeと化合物を形成し，デバイス特性の劣化を防ぐ材料であるMgを用い，非晶質Ge薄膜の結晶成長を試みた．その結果，350℃で非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長が引き起こされること，横方向成長を引き起こすためには35〜40%程度のMgをGe薄膜中に混入させる必要があることが分かった．また，Mg誘起横方向成長を促進するため，多段熱処理を試みた処，横方向成長距離が約6倍に拡大することが分かった． |
| 抄録(英) | We have investigated low temperature solid phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate. High temperature annealing is necessary to obtain the polycrystalline Ge by conventional solid phase crystallization. In order to enhance the solid phase crystallization, Mg induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulating substrate was performed. As a result, amorphous Ge was crystallized around Mg pattern after annealing at 350℃ for 60 min. In addition, it was found that the minimum Mg concentration of about 35 % is required to cause the Mg induced lateral crystallization for amorphous Ge. To enhance the Mg induced lateral crystallization by using two step annealing, Mg induced lateral crystallization length was significantly enhanced (~ 6 times). This enhancement was attributed to the ease of Mg atoms diffusion into amorphous Ge region. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / 固相成長 / 金属誘起固相成長 / 拡散濃度 / 多段階熱処理 |
| キーワード(英) | Germanium / Solid phase crystallization / Metal induced crystallization / Two-step annealing |
| 資料番号 | SDM2022-10,OME2022-10 |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/4/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | 高千穂ホール（宮崎市） |
| 開催地（英） | Takachiho Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 伊東 栄次(信州大学) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Eiji Itoh(Shinshu Univ.) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | EDX evaluation of Mg atoms on Mg-induced lateral crystallization of amorphous Ge/SiO2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 金属誘起固相成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散濃度 / Two-step annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 多段階熱処理 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森本 敦己 / Atsuki Morimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿部 陸斗 / Rikuto Abe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平井 杏奈 / Anna Hirai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平井 杜和 / Towa Hirai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高倉 健一郎 / Kenichiro Takakura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 角田 功 / Isao Tsunoda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College(略称：NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 発表年月日 | 2022-04-23 |
| 資料番号 | SDM2022-10,OME2022-10 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | SDM-8,OME-9 |
| ページ範囲 | pp.47-50(SDM), pp.47-50(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) |