| 講演名 | 2022-04-15 SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳(*), 原 信二(名大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに、その実施結果を報告する。AlGaN/GaN HEMTの3次混変調歪(IM3)性能を、SiC基板およびGaN基板、フィールドプレート(FP)有無で比較し、電流コラプス特性と合わせて報告する。GaN基板上のGaN HEMTはSiC基板上のGaN HEMTと比較して欠陥起因の電流コラプスが小さく電力特性向上に加え良好な歪特性が期待され、IM3測定結果は予想と一致した。また、GaN基板上のGaN HEMTのIM3はFP無でもFP有のSiC基板上GaN HEMTと同等であった。 |
| 抄録(英) | In this report, we propose a new intermodulation distortion (IMD) measurement method to evaluate the influence of current collapse on the linearity of GaN HEMTs, and compare the third-order intermodulation distortion (IM3) performance of GaN HEMTs between different substrates and with and without field plates (FPs) using this measurement system. GaN HEMTs on GaN substrates are expected to have better linearity in addition to improved power characteristics due to fewer defect-induced current collapses compared to GaN HEMTs on SiC substrates, and the IM3 measurement results are consistent with expectations. The IM3 of GaN HEMTs on GaN substrates without FPs was comparable to that of GaN HEMTs on SiC substrates with FPs. |
| キーワード(和) | HEMT / GaN基板 / SiC基板 / 電流コラプス / IMD |
| キーワード(英) | HEMT / GaN substrate / SiC substrate / Current collapse / IMD |
| 資料番号 | WPT2022-10,MW2022-10 |
| 発行日 | 2022-04-08 (WPT, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / WPT |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/4/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 電力伝送/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Wireless Power Transfer, Microwave |
| 委員長氏名（和） | 末松 憲治(東北大) / 石崎 俊雄(龍谷大) |
| 委員長氏名（英） | Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) / Toshio Ishizaki(Ryukoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 大平 昌敬(埼玉大) / 河口 民雄(東芝) / 藤森 和博(岡山大) / 居村 岳広(東京理科大) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Ohira(Saitama Univ.) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) / Kazuhiro Fujimori(Okayama Univ.) / Takehiro Imurai(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事補佐氏名（和） | 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(早大) / 成末 義哲(東大) / 田中 勇気(パナソニック) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(Waseda Univ.) / Yoshiaki Narusue(Univ. of Tokyo) / Yuki Tanaka(Panasonic) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Wireless Power Transfer |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Distortion characteristics comparison of AlGaN-GaN HEMTs between SiC and GaN Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(3)（和/英） | SiC基板 / SiC substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(5)（和/英） | IMD / IMD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森脇 淳 / Atsushi Moriwaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | *(略称：*) *(略称：*) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原 信二 / Shinji Hara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：NU) |
| 発表年月日 | 2022-04-15 |
| 資料番号 | WPT2022-10,MW2022-10 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | WPT-1,MW-2 |
| ページ範囲 | pp.35-39(WPT), pp.35-39(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-04-08 (WPT, MW) |