| 講演名 | 2022-04-22 熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化 Rostislav Velichko(高知工科大), 曲 勇作(島根大), 古田 守(高知工科大), |
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| 抄録(和) | 代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）であるIn?Ga?Zn?O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを超える電界効果移動度を有し、スパッタリング法で室温形成可能なことより次世代ディスプレイやフレキシブルデバイス応用で注目されている。しかしながら、スパッタ成膜IGZOをチャネルに用いたTFTでは特性改善や信頼性確保に300℃程度の熱処理が必要であることが知られている。本発表では熱処理によるIGZO TFTの特性改善メカニズムを議論し、我々が提唱している水素添加IGZO（IGZO:H）による熱処理温度低温化に関しても議論する。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | In-Ga-Zn-O (IGZO) / 薄膜トランジスタ（TFT） / in-situ Hall測定 / 硬X線光電子分光 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2022-4,OME2022-4 |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2022/4/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | 高千穂ホール（宮崎市） |
| 開催地（英） | Takachiho Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 伊東 栄次(信州大学) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Eiji Itoh(Shinshu Univ.) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanism for improving electrical properties of InGaZnOx thin-film transistors through annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | In-Ga-Zn-O (IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ（TFT） |
| キーワード(3)（和/英） | in-situ Hall測定 |
| キーワード(4)（和/英） | 硬X線光電子分光 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | Rostislav Velichko / Rostislav Velichko |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：KUT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 曲 勇作 / Yusaku Magari |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 島根大学(略称：島根大) Shimane University(略称：Shimane Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古田 守 / Mamoru Furuta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：KUT) |
| 発表年月日 | 2022-04-22 |
| 資料番号 | SDM2022-4,OME2022-4 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | SDM-8,OME-9 |
| ページ範囲 | pp.17-20(SDM), pp.17-20(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) |