| 講演名 | 2022-03-07 Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価 宮内 陽里(芝浦工大), 宇佐美 公良(芝浦工大), |
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| 抄録(和) | 磁気トンネル接合(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM：Non Volatile Memory)は、細粒度電源遮断が可能であるため、近年問題となっているリーク電流の増大を防ぐことができる。しかし、MTJにはストアエネルギーが大きいという問題がある。そのため、本研究では、データのビット列を分割し、正確なストアを必要としない部分でのストア時間を短縮するApproximate Storingを適用することで、低消費エネルギーを実現するNVSRAMを提案する。65nmプロセスを想定し、回路設計を行い、画像データ保存時におけるエネルギー削減量について、回路シミュレーション評価を行って有効性を明らかにした。 |
| 抄録(英) | Non-volatile memory (NVM) using magnetic tunnel junction (MTJ) devices can prevent the increase in leakage current, which has become a problem in recent years, because it allows fine-grained power supply interruption. However, MTJ has a problem of large store energy. In this study, we propose an NVSRAM that achieves low energy consumption by applying Approximate Storing, which divides the data bit strings and reduces the store time in the parts that do not require accurate store. The energy reduction during image storage was evaluated by simulation in the 65nm process. |
| キーワード(和) | SRAM / パワーゲーティング / MTJ / Approximate Computing |
| キーワード(英) | SRAM / Power-Gating / MTJ / Approximate Computing |
| 資料番号 | VLD2021-86,HWS2021-63 |
| 発行日 | 2022-02-28 (VLD, HWS) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / HWS |
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| 開催期間 | 2022/3/7(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. |
| 委員長氏名（和） | 小林 和淑(京都工繊大) / 島崎 靖久(ルネサスエレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Inst. of Tech.) / Yasuhisa Shimazaki(Renesas Electronics) |
| 副委員長氏名（和） | 池田 奈美子(NTT) / 永田 真(神戸大) / 鈴木 大輔(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Minako Ikeda(NTT) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Daisuke Suzuki(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 兼本 大輔(大阪大学) / 宮村 信(NEC) / 高橋 順子(NTT) / 藤本 大介(奈良先端大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Kanemoto(Osaka Univ.) / Makoto Miyamura(NEC) / Junko Takahashi(NTT) / Daisuke Fujimotoi(NAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Hardware Security |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MTJ-based non-volatile SRAM circuit with Approximate Image-data Storing for energy saving |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | パワーゲーティング / Power-Gating |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | Approximate Computing / Approximate Computing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮内 陽里 / Hisato Miyauchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学(略称：芝浦工大) Shibaura Institute of Technology(略称：SIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学(略称：芝浦工大) Shibaura Institute of Technology(略称：SIT) |
| 発表年月日 | 2022-03-07 |
| 資料番号 | VLD2021-86,HWS2021-63 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | VLD-412,HWS-413 |
| ページ範囲 | pp.51-56(VLD), pp.51-56(HWS), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-02-28 (VLD, HWS) |