| 講演名 | 2022-01-31 ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング 黒川 義元(半導体エネルギー研), 馬場 晴之(半導体エネルギー研), 大下 智(半導体エネルギー研), 濱田 俊樹(半導体エネルギー研), 安藤 善範(半導体エネルギー研), 方堂 涼太(半導体エネルギー研), 大野 敏和(半導体エネルギー研), 廣瀬 貴史(半導体エネルギー研), 國武 廣司(半導体エネルギー研), 村川 努(半導体エネルギー研), 名倉 徹(福岡大), 小林 正治(東大), 吉田 宏(PSMC), Min-Cheng Chen(PSMC), Ming-Han Liao(National Taiwan Univ.), Shou-Zen Chang(PSMC), 山﨑 舜平(半導体エネルギー研), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング (AiMC) チップを試作した。本AiMCチップは、極低リーク電流のCAAC-IGZO FETにより重みデータを保持してSi FETがサブスレッショルド領域で動作するメモリセルをアナログ乗算素子として利用し、< 1nAの微小セル電流で143.9TOPS/Wの演算効率を達成した。 |
| 抄録(英) | We have successfully demonstrated high-efficiency analog in-memory computing (AiMC) chips, which are monolithically fabricated with Si CMOS + CAAC-IGZO FETs. The AiMC chips utilize low-leakage CAAC-IGZO FETs that retain the gate voltage of Si CMOS devices to drive them in the subthreshold region and achieve an ultra-low cell current (< 1 nA/cell) and an operation efficiency of 143.9 TOPS/W. |
| キーワード(和) | CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology / Analog in-Memory Computing / Oxide Semiconductor |
| キーワード(英) | CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology / Analog in-Memory Computing / Oxide Semiconductor |
| 資料番号 | SDM2021-72 |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2022/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Novel Analog in-Memory Computing with < 1nA Current/Cell and 143.9 TOPS/W Enabled by Monolithic Normally-off Zn-rich CAAC-IGZO FET-on-Si CMOS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology / CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology |
| キーワード(2)（和/英） | Analog in-Memory Computing / Analog in-Memory Computing |
| キーワード(3)（和/英） | Oxide Semiconductor / Oxide Semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒川 義元 / Yoshiyuki Kurokawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 馬場 晴之 / Haruyuki Baba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大下 智 / Satoru Ohshita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 濱田 俊樹 / Toshiki Hamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安藤 善範 / Yoshinori Ando |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 方堂 涼太 / Ryota Hodo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大野 敏和 / Toshikazu Ono |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 貴史 / Takashi Hirose |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 國武 廣司 / Hitoshi Kunitake |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 村川 努 / Tsutomu Murakawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 名倉 徹 / Toru Nakura |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 福岡大学(略称：福岡大) Fukuoka University(略称：Fukuoka Univ.) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) Tokyo University(略称：Tokyo Univ.) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 吉田 宏 / Hiroshi Yoshida |
| 第 13 著者 所属（和/英） | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | Min-Cheng Chen / Min-Cheng Chen |
| 第 14 著者 所属（和/英） | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | Ming-Han Liao / Ming-Han Liao |
| 第 15 著者 所属（和/英） | National Taiwan University(略称：National Taiwan Univ.) National Taiwan University(略称：National Taiwan Univ.) |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | Shou-Zen Chang / Shou-Zen Chang |
| 第 16 著者 所属（和/英） | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation(略称：PSMC) |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | 山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki |
| 第 17 著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所(略称：半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory(略称：Semiconductor Energy Lab.) |
| 発表年月日 | 2022-01-31 |
| 資料番号 | SDM2021-72 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-365 |
| ページ範囲 | pp.16-19(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) |