講演名 2022-01-31
[招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明
市原 玲華(キオクシア),
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抄録(和) HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析によって捉え、HfO2-FeFETにおけるサイクル劣化の機構を解析した。HfO2/SiO2界面に生じるトラップ電子がサイクルを経ることで固定化し、erase動作における付加的で可逆なホールトラップを誘起することでVthウインドウが縮小することを明らかにした。
抄録(英) e establish an accurate picture of cycling degradation in HfO2-FeFET based on the dynamics of various charge-trapping revealed by fast charge centroid analysis. Cycling-induced fixed electron at HfO2/SiO2 interface induces an additional reversible hole-trapping leading to Vth window narrowing.
キーワード(和) 強誘電 / HfO2 / FeFET / チャージトラップ / 自発分極 / サイクル劣化 / Vthウインドウ
キーワード(英) ferroelectric / HfO2 / FeFET / charge-trapping / spontaneous polarization / cycling degradation / Vth window
資料番号 SDM2021-70
発行日 2022-01-24 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2022/1/31(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)
テーマ(英)
委員長氏名(和) 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター)
委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor)
副委員長氏名(和) 大見 俊一郎(東工大)
副委員長氏名(英) Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大)
幹事補佐氏名(英) Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] ****
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 強誘電 / ferroelectric
キーワード(2)(和/英) HfO2 / HfO2
キーワード(3)(和/英) FeFET / FeFET
キーワード(4)(和/英) チャージトラップ / charge-trapping
キーワード(5)(和/英) 自発分極 / spontaneous polarization
キーワード(6)(和/英) サイクル劣化 / cycling degradation
キーワード(7)(和/英) Vthウインドウ / Vth window
第 1 著者 氏名(和/英) 市原 玲華 / Reika Ichihara
第 1 著者 所属(和/英) キオクシア(略称:キオクシア)
Kioxia(略称:Kioxia)
発表年月日 2022-01-31
資料番号 SDM2021-70
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) SDM-365
ページ範囲 pp.9-11(SDM),
ページ数 3
発行日 2022-01-24 (SDM)