講演名 | 2022-01-31 [招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 市原 玲華(キオクシア), |
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抄録(和) | HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析によって捉え、HfO2-FeFETにおけるサイクル劣化の機構を解析した。HfO2/SiO2界面に生じるトラップ電子がサイクルを経ることで固定化し、erase動作における付加的で可逆なホールトラップを誘起することでVthウインドウが縮小することを明らかにした。 |
抄録(英) | e establish an accurate picture of cycling degradation in HfO2-FeFET based on the dynamics of various charge-trapping revealed by fast charge centroid analysis. Cycling-induced fixed electron at HfO2/SiO2 interface induces an additional reversible hole-trapping leading to Vth window narrowing. |
キーワード(和) | 強誘電 / HfO2 / FeFET / チャージトラップ / 自発分極 / サイクル劣化 / Vthウインドウ |
キーワード(英) | ferroelectric / HfO2 / FeFET / charge-trapping / spontaneous polarization / cycling degradation / Vth window |
資料番号 | SDM2021-70 |
発行日 | 2022-01-24 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2022/1/31(から1日開催) |
開催地(和) | オンライン開催 |
開催地(英) | Online |
テーマ(和) | 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
委員長氏名(英) | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
副委員長氏名(和) | 大見 俊一郎(東工大) |
副委員長氏名(英) | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
幹事氏名(英) | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
幹事補佐氏名(英) | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Talk] **** |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 強誘電 / ferroelectric |
キーワード(2)(和/英) | HfO2 / HfO2 |
キーワード(3)(和/英) | FeFET / FeFET |
キーワード(4)(和/英) | チャージトラップ / charge-trapping |
キーワード(5)(和/英) | 自発分極 / spontaneous polarization |
キーワード(6)(和/英) | サイクル劣化 / cycling degradation |
キーワード(7)(和/英) | Vthウインドウ / Vth window |
第 1 著者 氏名(和/英) | 市原 玲華 / Reika Ichihara |
第 1 著者 所属(和/英) | キオクシア(略称:キオクシア) Kioxia(略称:Kioxia) |
発表年月日 | 2022-01-31 |
資料番号 | SDM2021-70 |
巻番号(vol) | vol.121 |
号番号(no) | SDM-365 |
ページ範囲 | pp.9-11(SDM), |
ページ数 | 3 |
発行日 | 2022-01-24 (SDM) |