| 講演名 | 2022-01-31 ［招待講演］16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 斉藤 朋也(ルネサス), 伊藤 孝(ルネサス), 帯刀 恭彦(ルネサス), 園田 賢一郎(ルネサス), 渡辺 源太(ルネサス), 松原 謙(ルネサス), 神田 明彦(ルネサス), 下井 貴裕(ルネサス), 武田 晃一(ルネサス), 河野 隆司(ルネサス), |
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| 抄録(和) | 16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー書込み技術とその測定結果に関して報告する。STT-MRAMセルのP書込み/AP書込み特性に従って、スロープ電圧および電流書込みパルス印加を適用したセルフターミネーション書込み方式と可変並列ビット書込み方式を開発し、72%の書込みエネルギー削減と50%のトータル書込みパルス時間削減を実証した。 |
| 抄録(英) | We present the low energy write techniques and measurement results of a 20Mb embedded STT-MRAM test chip in 16nm FinFET logic process. Self-termination write schemes with slope write voltage and current pulse and variable parallel bit write sequence are proposed to reduce total write energy consumption by terminating write pulse adaptively according to the characteristics of each STT-MRAM cell and achieves 72% write energy reduction and 50% total write pulse time reduction. |
| キーワード(和) | STT-MRAM / 16nm / ロジックプロセス混載 / 低電力書込み / セルフターミネーション書込み |
| キーワード(英) | STT-MRAM / 16nm / embedded / Low power write / Self-termination Write |
| 資料番号 | SDM2021-68 |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2022/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] **** |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STT-MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 16nm / 16nm |
| キーワード(3)（和/英） | ロジックプロセス混載 / embedded |
| キーワード(4)（和/英） | 低電力書込み / Low power write |
| キーワード(5)（和/英） | セルフターミネーション書込み / Self-termination Write |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 朋也 / Tomoya Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 孝 / Takashi Ito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡辺 源太 / Genta Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松原 謙 / Ken Matsubara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 神田 明彦 / Akihiko Kanda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 下井 貴裕 / Takahiro Shimoi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 武田 晃一 / Koichi Takeda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 河野 隆司 / Takashi Kono |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 発表年月日 | 2022-01-31 |
| 資料番号 | SDM2021-68 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-365 |
| ページ範囲 | pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) |