| 講演名 | 2022-01-07 nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 西田 直之(阪府大), 服部 励太郎(阪府大), 永瀬 隆(阪府大), 安達 天規(阪府大), 森川 和慶(阪府大), 小林 隆史(阪府大), 内藤 裕義(阪府大), |
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| 抄録(和) | 高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性低分子半導体 (TIPSペンタセン) から成る電荷蓄積層を用いることで溶液プロセスによる不揮発性メモリの作製が可能となる。本研究では、高電子移動度を示すドナー・アクセプタ型高分子半導体のPNDI(2OD)2Tを用いてnチャネル有機FETメモリをスピンコート法により作製し、メモリ特性を評価した。その結果、PNDI(2OD)2T FETメモリは他の両極性高分子半導体を用いたメモリと異なり、暗状態ではメモリとして動作せずに、光照射下での書込により閾値電圧シフトを示した。また、電荷蓄積層に可溶性フラーレンを添加した際には消去特性が改善されることが分かった。 |
| 抄録(英) | Use of a charge storage layer composed of a polymer insulator of PMMA and a soluble small-molecule semiconductor of TIPS-pentacene in top-gate organic field-effect transistors (OFETs) based on polymer semiconductors enables the solution processing of nonvolatile memories. Here, we fabricate top-gate n-channel OFET memory devices using a high electron mobility donor-accepter polymer semiconductor of PNDI(2OD)2T by spin-coating processes and investigate their memory characteristics. We found that PNDI(2OD)2T FET memories do not exhibit memory operations in the dark, while threshold voltage shifts are observed by programming under light illumination. It is also observed thar the addition of soluble fullerene molecules of PCBM to the charge storage layer allows improving erasing characteristics. |
| キーワード(和) | 有機電界効果トランジスタ / 不揮発性有機メモリ / 溶液プロセス / ドナー・アクセプタ型高分子半導体 / フローティングゲート |
| キーワード(英) | Organic field-effect transistor / Nonvolatile organic memory / solution process / donor-acceptor polymer semiconductor / floating gate |
| 資料番号 | OME2021-48 |
| 発行日 | 2021-12-31 (OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2022/1/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | 中央電気?楽部 ２１３号室 |
| 開催地（英） | CENTRAL ELECTRIC CLUB |
| テーマ（和） | 有機デバイス・センサー一般 |
| テーマ（英） | Organic devices, sensors, etc. |
| 委員長氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 伊東 栄次(信州大学) |
| 副委員長氏名（英） | Eiji Itoh(Shinshu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) |
| 幹事氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device characteristics of organic floating-gate memories based on n-channel polymer transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / Organic field-effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性有機メモリ / Nonvolatile organic memory |
| キーワード(3)（和/英） | 溶液プロセス / solution process |
| キーワード(4)（和/英） | ドナー・アクセプタ型高分子半導体 / donor-acceptor polymer semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | フローティングゲート / floating gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西田 直之 / Naoyuki Nishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 服部 励太郎 / Reitaro Hattori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永瀬 隆 / Takashi Nagase |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安達 天規 / Takaki Adachi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森川 和慶 / Kazuyoshi Morikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 隆史 / Takashi Kobayashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / Takashi Kobayashi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 発表年月日 | 2022-01-07 |
| 資料番号 | OME2021-48 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | OME-316 |
| ページ範囲 | pp.4-8(OME), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-12-31 (OME) |