講演名 2022-01-27
3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田 英悟(三菱電機), 山口 裕太郎(三菱電機), 津留 正臣(三菱電機), Johannes Benedikt(Cardiff University),
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抄録(和) 本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や高調波ではない周波数のインピーダンスがFETの動作に与える影響を実験的に明らかにすることにより、増幅器の更なる高出力・高効率・低歪化が期待できる。実験の結果、IMD3周波数の負荷インピーダンスはドレイン効率で11%ポイント、IMD3の振幅で13dBもの性能差を生み出すことが分かった.
抄録(英) This paper reports on new multitone active loadpull measurements at the specific frequencies of third order intermodulation distortions (IMD3). The achieved separation between the effects of fundamental and IMD3 loadpull quantify clearly the potential of incorporating IMD3 load impedances into low distortion high efficiency amplifier design. The results show an increase in drain efficiency (DE) of 11 points and 13dB drop in IMD3 levels by varying the IMD3 impedances only. The results demonstrate the same IMD3 optimum impedances for achieving both maximum DE and linearity yet significantly different from impedances for optimum DE at fundamental frequencies, hence strongly suggesting the separate tuning of IMD3 impedances for improving amplifier’s DE and linearity. This is the first investigation of loadpull at specific IMD3 tones covering the entire smith chart at realistic frequency spacing and compression levels.
キーワード(和) 増幅器 / 歪み / 効率 / IMD3 / GaN HEMT
キーワード(英) amplifier / distortion / efficiency / IMD3 / GaN HEMT
資料番号 ED2021-63,MW2021-105
発行日 2022-01-20 (ED, MW)

研究会情報
研究会 ED / MW
開催期間 2022/1/27(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英)
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤代 博記(東京理科大) / 末松 憲治(東北大)
委員長氏名(英) Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 葛西 誠也(北大) / 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機)
副委員長氏名(英) Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 大平 昌敬(埼玉大) / 河口 民雄(東芝)
幹事氏名(英) Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Masataka Ohira(Saitama Univ.) / Tamio Kawaguchi(Toshiba)
幹事補佐氏名(和) 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専)
幹事補佐氏名(英) Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT, Tokuyama)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwaves
本文の言語 JPN
タイトル(和) 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effects of Load Impedances at Third Order Intermodulation Tones
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 増幅器 / amplifier
キーワード(2)(和/英) 歪み / distortion
キーワード(3)(和/英) 効率 / efficiency
キーワード(4)(和/英) IMD3 / IMD3
キーワード(5)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT
第 1 著者 氏名(和/英) 桑田 英悟 / Eigo Kuwata
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
第 2 著者 氏名(和/英) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
第 3 著者 氏名(和/英) 津留 正臣 / Masaomi Tsuru
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
第 4 著者 氏名(和/英) Johannes Benedikt / Johannes Benedikt
第 4 著者 所属(和/英) Cardiff University(略称:Cardiff University)
Cardiff University(略称:Cardiff University)
発表年月日 2022-01-27
資料番号 ED2021-63,MW2021-105
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) ED-360,MW-361
ページ範囲 pp.7-11(ED), pp.7-11(MW),
ページ数 5
発行日 2022-01-20 (ED, MW)