講演名 2022-01-28
中間周波数帯接触電流による接触インピーダンスの数値解析
西川 雄登(名工大), ゴメスタメス ホセ(名工大), 上村 佳嗣(宇都宮大), 上原 信太郎(藤田医科大), 大高 洋平(藤田医科大), 平田 晃正(名工大),
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抄録(和) 国際非電離放射線防護委員会(ICNIRP)ガイドラインやIEEE規格では,接触電流を含む電磁波被ばくに対する防護限度が定められている.接触電流とは,電界や磁界内にある物体に触れた人間に間接的に被ばくする電流である.しかしながら,その予測は,導電体と接触組織の接触面積抵抗などの把持条件など,さまざまな要因によって困難である.また,基準値レベルの被ばく量では基本制限を満たさないことが指摘されている.さらに,ICNIRP のガイドラインは 2020 年に改訂され,接触電流の基準レベルは提供されなくなり,代わりに「ガイダンス」という新しいカテゴリが使用されている.そのため,接触電流による被ばくを詳細に調査する必要がある.本研究では,接触電流の計算モデル化を検証するために,有限差分時間領域法(FDTD法)による手指インピーダンスの数値的な検討について議論した.そして,FDTD法により,接触インピーダンスの接触面積依存性を検討した.その結果,接触面積を大きくするとインピーダンスが小さくなることが分かった.
抄録(英) International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection (ICNIRP) guidelines and IEEE standards set protection limits to electromagnetic exposure including contact currents. Contact current is an indirect exposure in which current flows through a person touching an object that is within an electric or magnetic field. However, establishing protection limits of contact current is difficult due to different factors, such as grasping conditions, contact area, and resistance between conducting object and contacting tissue. Also, it has been pointed out that the basic restriction may be exceeded for exposure at the reference level. In consequence, ICNIRP guidelines have been revised in 2020 and no longer provides contact current reference level, and instead use a new category called “guidance”. Therefore, it becomes necessary to clarify the effects of different factors during contact current exposure. The present study investigates hand impedance by finite-difference time-domain (FDTD) method for correct computational modeling of contact current. Then, the dependence of contact impedance on the contact area is studied by the FDTD method. As a result, it was found that the impedance became smaller when the contact area was increased.
キーワード(和) 接触電流 / FDTD法 / 接触面積依存性
キーワード(英) Contact current / FDTD method / Contact area, Impedance
資料番号 EST2021-81
発行日 2022-01-20 (EST)

研究会情報
研究会 EST
開催期間 2022/1/27(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) シミュレーション技術、一般
テーマ(英) Simulation techniques, etc.
委員長氏名(和) 柴山 純(法政大)
委員長氏名(英) Jun Shibayama(Hosei Univ.)
副委員長氏名(和) 君島 正幸(アドバンテスト研) / 辻 寧英(室蘭工大) / 大寺 康夫(富山県立大学)
副委員長氏名(英) Masayuki Kimishima(Advantest) / Yasuhide Tsuji(Muroran Inst. of Tech.) / Yasuo Ohtera(Toyama Prefectural Univ.)
幹事氏名(和) 毛塚 敦(電子航法研) / 阪本 卓也(京大)
幹事氏名(英) Atsushi Kezuka(ENRI) / Takuya Sakamoto(yoto Univ.)
幹事補佐氏名(和) 岸本 誠也(日大) / 井口 亜希人(室蘭工大)
幹事補佐氏名(英) Seiya Kishimoto(Nihon Univ.) / Akito Iguchi(Muroran Inst. of Tech)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electronics Simulation Technology
本文の言語 JPN
タイトル(和) 中間周波数帯接触電流による接触インピーダンスの数値解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Numerical Analysis of Contact Impedance During Contact Current Exposure at Intermediate Frequencies
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 接触電流 / Contact current
キーワード(2)(和/英) FDTD法 / FDTD method
キーワード(3)(和/英) 接触面積依存性 / Contact area, Impedance
第 1 著者 氏名(和/英) 西川 雄登 / Yuto Nishikawa
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学(略称:名工大)
Nagoya Institute of Technology(略称:NITech)
第 2 著者 氏名(和/英) ゴメスタメス ホセ / Jose David Gomez Tames
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学(略称:名工大)
Nagoya Institute of Technology(略称:NITech)
第 3 著者 氏名(和/英) 上村 佳嗣 / Yoshitsugu Kamimura
第 3 著者 所属(和/英) 宇都宮大学(略称:宇都宮大)
Utsunomiya University(略称:Utsunomiya Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 上原 信太郎 / Shintaro Uehara
第 4 著者 所属(和/英) 藤田医科大学(略称:藤田医科大)
Fujita Health University(略称:Fujita Health Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 大高 洋平 / Youhei Odaka
第 5 著者 所属(和/英) 藤田医科大学(略称:藤田医科大)
Fujita Health University(略称:Fujita Health Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 平田 晃正 / Akimasa Hirata
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学(略称:名工大)
Nagoya Institute of Technology(略称:NITech)
発表年月日 2022-01-28
資料番号 EST2021-81
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) EST-358
ページ範囲 pp.122-125(EST),
ページ数 4
発行日 2022-01-20 (EST)