講演名 2022-01-27
[依頼講演]2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC
石川 亮(電通大), 瀬下 拓也(電通大), 髙山 洋一郎(電通大), 本城 和彦(電通大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2021-67,MW2021-109
発行日 2022-01-20 (ED, MW)

研究会情報
研究会 ED / MW
開催期間 2022/1/27(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英)
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤代 博記(東京理科大) / 末松 憲治(東北大)
委員長氏名(英) Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 葛西 誠也(北大) / 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機)
副委員長氏名(英) Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 大平 昌敬(埼玉大) / 河口 民雄(東芝)
幹事氏名(英) Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Masataka Ohira(Saitama Univ.) / Tamio Kawaguchi(Toshiba)
幹事補佐氏名(和) 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専)
幹事補佐氏名(英) Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT, Tokuyama)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Microwaves
本文の言語 JPN
タイトル(和) [依頼講演]2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Lecture] A 28GHz-Band GaN HEMT Doherty Amplifier MMIC Based on Dual-Power-Level Design Technique
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 石川 亮 / Ryo Ishikawa
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 2 著者 氏名(和/英) 瀬下 拓也 / Takuya Seshimo
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 3 著者 氏名(和/英) 髙山 洋一郎 / Yoichiro Takayama
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 4 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo
第 4 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
発表年月日 2022-01-27
資料番号 ED2021-67,MW2021-109
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) ED-360,MW-361
ページ範囲 pp.28-31(ED), pp.28-31(MW),
ページ数 4
発行日 2022-01-20 (ED, MW)