| 講演名 | 2021-12-21 エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前 雄人(東京理科大), 岸本 尚之(東京理科大), 林 拓也(東京理科大), 國澤 宗真(東京理科大), 渡邊 一世(NICT), 山下 良美(NICT), 町田 龍人(NICT), 原 紳介(NICT), 笠松 章史(NICT), 遠藤 聡(東京理科大), 藤代 博記(東京理科大), |
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| 抄録(和) | 我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシャルヘテロ構造においては，ゲート・チャネル間距離を短縮するというスケーリングの観点からチャネル層ないしはスペーサ層を以前に用いた構造よりも薄膜化した．そして，スケーリング効果のDC及びRF特性への影響を調べた．ゲート長Lg = 35 nmのスペーサ層を薄膜化したHEMTにおいて遮断周波数fT = 301 GHzが得られた．遅延時間解析の結果より，この高特性は主に平均電子速度の増大と寄生抵抗の減少によることが分かった． |
| 抄録(英) | We fabricated three-types of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTs using epitaxial heterostructures in which the channel layer or spacer layer was thinner than that of the previous structure from the view point of scaling to shorten the gate-to-channel distance, and clarified the effect of scaling on the DC and RF characteristics. From the results of delay time analysis, a high cutoff frequency (fT) of 301 GHz for the thin-spacer HEMT at a late length (Lg) of 35 nm was mainly due to the increase in average electron velocity and the decrease in parasitic resistances. |
| キーワード(和) | GaInSbチャネルHEMT / 分子線エピタキシー / 相互コンダクタンス / 遮断周波数 / 遅延時間解析 |
| キーワード(英) | GaInSb-channel HEMT / molecular beam epitaxy / transconductance / cutoff frequency / delay time analysis |
| 資料番号 | ED2021-57 |
| 発行日 | 2021-12-13 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2021/12/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInSbチャネルHEMT / GaInSb-channel HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 相互コンダクタンス / transconductance |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | 遅延時間解析 / delay time analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 礒前 雄人 / Yuuto Isomae |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 尚之 / Naoyuki Kishimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林 拓也 / Takuya Hayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 國澤 宗真 / Munemasa Kunisawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Info. & Com. Tech.(略称：NICT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山下 良美 / Yoshimi Yamashita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Info. & Com. Tech.(略称：NICT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 町田 龍人 / Ryuto Machida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Info. & Com. Tech.(略称：NICT) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 原 紳介 / Shinsuke Hara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Info. & Com. Tech.(略称：NICT) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Info. & Com. Tech.(略称：NICT) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira Endoh |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 藤代 博記 / Hiroki Fujishiro |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：TUS) |
| 発表年月日 | 2021-12-21 |
| 資料番号 | ED2021-57 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-309 |
| ページ範囲 | pp.44-47(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-12-13 (ED) |