| 講演名 | 2021-12-09 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング 松本 直之(横浜国大/産総研), 鷹尾 祥典(横浜国大), 長尾 昌善(産総研), 村上 勝久(産総研), |
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| 抄録(和) | 平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1?100 mA/cm2)，高放出効率 (10?50%) という優れた特徴を有し，地球低軌道を飛行する小型イオンスラスタの中和器等としての応用が期待されている．一方，地球低軌道環境におけるデバイスのグラフェン電極酸化が応用上の懸念点である．今回，デバイスの酸素耐性向上を目指し，酸素耐性と電子透過性に優れた単層の六方晶窒化ホウ素 (h-BN) でデバイスのグラフェン電極上に保護を施した．その結果，デバイスは4分間の酸素プラズマ照射に耐え，さらに電子を放出することができた． |
| 抄録(英) | A graphene-oxide-semiconductor (GOS) planar-type electron source was protected with a hexagonal boron nitride (h-BN) film to improve its oxidation resistance. h-BN is a suitable material for GOS device protection because of its high oxidation resistance and high electron transmissivity. The GOS device covered by monolayer h-BN emitted electrons even after the oxygen plasma exposure for four minutes, indicating that the oxygen resistance of the GOS device was successfully improved by monolayer h-BN protection film. |
| キーワード(和) | 平面型グラフェン電子源 / グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 地球低軌道 |
| キーワード(英) | Graphene-Oxide-Semiconductor / Graphene / Hexagonal Boron Nitride / Low Earth Orbit |
| 資料番号 | ED2021-45 |
| 発行日 | 2021-12-02 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2021/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクスおよびその関連評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxidation resistant coating of graphene-oxide-semiconductor electron emission device for low earth orbit applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 平面型グラフェン電子源 / Graphene-Oxide-Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(3)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal Boron Nitride |
| キーワード(4)（和/英） | 地球低軌道 / Low Earth Orbit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 直之 / Naoyuki Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学/国立研究開発法人 産業技術総合研究所(略称：横浜国大/産総研) Yokohama National University/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：YNU/AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学(略称：横浜国大) Yokohama National University(略称：YNU) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2021-12-09 |
| 資料番号 | ED2021-45 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-290 |
| ページ範囲 | pp.38-42(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-12-02 (ED) |