講演名 2021-12-21
[招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也(NTT), 濱田 裕史(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 徐 照男(NTT), 高橋 宏行(NTT), 松崎 秀昭(NTT),
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抄録(和) 本報告では,Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子移動度トランジスタ(InP-based high mobility electron transistors: InP-HEMTs)およびテラヘルツIC(Tera-Hertz monolithic ICs: THz-ICs)について,製造技術の観点から概要を述べる.さらに開発したInP-THz-IC の300 GHz 帯ミキサ,パワーアンプ(Power Amplifiers: PAs)などの要素部品を紹介し,InP-HEMT-IC 技術がBeyond 5G/6G に対して有望な技術的候補であることを示す.
抄録(英) In this report, we focuses fabrication processes of InP-based hight-mobility transistors (InP-HEMTs) and Tera-Hertz monolithic ICs (THz-ICs) in order to develop 300-GHz band because it is one of the candidate frequency for “Beyond 5G / 6G” network systems. Furthermore, we also introduce InP-THz-ICs such as 300-GHz mixer and power amplifier and indicate that InP-based devices are an applicable candidate for Beyond 5G/6G.
キーワード(和) InP-HEMT / テラヘルツIC / Beyond 5G / 6G / 裏面プロセス / 300 GHz帯
キーワード(英) InP-HEMT / Tera-Hertz ICs / Beyond 5G / 6G / Backside process / 300-GHz band
資料番号 ED2021-55
発行日 2021-12-13 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2021/12/20(から2日開催)
開催地(和) 東北大学・電気通信研究所
開催地(英)
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤代 博記(東京理科大)
委員長氏名(英) Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science)
副委員長氏名(和) 葛西 誠也(北大)
副委員長氏名(英) Seiya Sakai(Hokkaido Univ.)
幹事氏名(和) 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT)
幹事氏名(英) Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT)
幹事補佐氏名(和) 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機)
幹事補佐氏名(英) Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] InP HEMT based Tera-hertz IC Fabrication Technology for Beyond 5G/6G Application
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP-HEMT / InP-HEMT
キーワード(2)(和/英) テラヘルツIC / Tera-Hertz ICs
キーワード(3)(和/英) Beyond 5G / Beyond 5G
キーワード(4)(和/英) 6G / 6G
キーワード(5)(和/英) 裏面プロセス / Backside process
キーワード(6)(和/英) 300 GHz帯 / 300-GHz band
第 1 著者 氏名(和/英) 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi
第 1 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
第 2 著者 氏名(和/英) 濱田 裕史 / Hirosh Hamada
第 2 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
第 3 著者 氏名(和/英) 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama
第 3 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
第 4 著者 氏名(和/英) 徐 照男 / Teruo Jyo
第 4 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
第 5 著者 氏名(和/英) 高橋 宏行 / Hiroyuki Takahashi
第 5 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
第 6 著者 氏名(和/英) 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki
第 6 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社(略称:NTT)
NTT Corporation(略称:NTT)
発表年月日 2021-12-21
資料番号 ED2021-55
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) ED-309
ページ範囲 pp.34-39(ED),
ページ数 6
発行日 2021-12-13 (ED)