講演名 | 2021-12-16 0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC 角谷 直哉(金沢工大), 小松 郁弥(金沢工大), 廣瀬 裕也(金沢工大), 坂井 尚貴(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), |
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抄録(和) | 本報告では0.1μm E-pHEMTを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する. 整流用ダイオードとして,0.1μm E-pHEMTのゲート電極とドレイン電極を接続しダイオードとするGated Anode Diode (GAD)を用いる. 整流効率を上げるために,0.1μm E-pHEMTのフィンガー幅を最適化し,遮断周波数810GHzを得ている. 試作したMMICは32GHzにおいて入力電力18.5dBm (0.07W)のとき整流効率59.6%を得ている. これは30GHz帯において最高効率である. |
抄録(英) | In this paper, the 30 GHz band double voltage rectifier MMIC with the 0.1 μm E-pHEMT is demonstrated for the millimeter wave wireless power transfer system. The gated anode diode (GAD) that is the 0.1 μm E-pHEMT with the connected gate-drain electrodes as the anode terminate is employed as a rectifier diode. To improve the rectification efficiency, the finger width of the E-pHEMT is optimized for the higher cut-off frequency. As the result, the GAD has the cut-off frequency of 810 GHz. The developed rectifier MMIC achieves rectification efficiency of 59.6 % at an input power of 18.5 dBm (0.07W) that is the top performance in 30 GHz band. |
キーワード(和) | 倍電圧整流器 / 遮断周波数 / E-pHEMT |
キーワード(英) | Double voltage rectifier / cut-off frequency / E-pHEMT |
資料番号 | MW2021-90 |
発行日 | 2021-12-09 (MW) |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 2021/12/16(から2日開催) |
開催地(和) | 川崎市産業振興会館 |
開催地(英) | Kawasaki City Industrial Promotion Hall |
テーマ(和) | マイクロ波一般/学生設計試作コンテスト発表会・表彰式 |
テーマ(英) | Microwave/Presentation and Award Ceremony of SDC |
委員長氏名(和) | 末松 憲治(東北大) |
委員長氏名(英) | Noriharu Suematsu(Tohoku Univ.) |
副委員長氏名(和) | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 中溝 英之(三菱電機) |
副委員長氏名(英) | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Hideyuki Nakamizo(Mitsubishi Electric) |
幹事氏名(和) | 大平 昌敬(埼玉大) / 河口 民雄(東芝) |
幹事氏名(英) | Masataka Ohira(Saitama Univ.) / Tamio Kawaguchi(Toshiba) |
幹事補佐氏名(和) | 長谷川 直輝(ソフトバンク) / 片山 光亮(徳山高専) |
幹事補佐氏名(英) | Naoki Hasegawa(Softbank) / Kosuke Katayama(NIT, Tokuyama College) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 30 GHz band double voltage rectifier MMIC with the 0.1 μm E-pHEMT gated anode diode |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 倍電圧整流器 / Double voltage rectifier |
キーワード(2)(和/英) | 遮断周波数 / cut-off frequency |
キーワード(3)(和/英) | E-pHEMT / E-pHEMT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 角谷 直哉 / Naoya Kakutani |
第 1 著者 所属(和/英) | 金沢工業大学(略称:金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小松 郁弥 / Fumiya Komatsu |
第 2 著者 所属(和/英) | 金沢工業大学(略称:金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 廣瀬 裕也 / Yuya Hirose |
第 3 著者 所属(和/英) | 金沢工業大学(略称:金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai |
第 4 著者 所属(和/英) | 金沢工業大学(略称:金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
第 5 著者 所属(和/英) | 金沢工業大学(略称:金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT) |
発表年月日 | 2021-12-16 |
資料番号 | MW2021-90 |
巻番号(vol) | vol.121 |
号番号(no) | MW-303 |
ページ範囲 | pp.31-36(MW), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2021-12-09 (MW) |