| 講演名 | 2021-11-26 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 森 隆一(三重大), 上杉 謙次郎(三重大), 窪谷 茂幸(三重大), 正直 花奈子(三重大), 三宅 秀人(三重大), |
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| 抄録(和) | スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚100?1000 nmの$Al_{0.85}Ga_{0.15}N$/$Al_{0.60}Ga_{0.40}N$ HEMT構造を成長させることで，チャネル膜厚がHEMTの特性に与える影響を調べた．チャネル膜厚の増加に伴いHEMT構造の表面平坦性・結晶性はともに低下するが，一方でシートキャリア濃度およびHall移動度はチャネル膜厚が500 nmまではチャネル膜厚の増加に伴い増加し，その後減少に転じた．また，チャネル膜厚500 nmのHEMTのI-V特性からは飽和電流密度7.6 mA/mm，オフ特性からドレイン・ソース間距離20 $mu$mで絶縁破壊電圧1 kVを得た． |
| 抄録(英) | $Al_{0.85}Ga_{0.15}N$/$Al_{0.60}Ga_{0.40}N$ HEMT structures with channel thicknesses of 100?1000 nm were grown on low-dislocation-density AlN templates prepared by a combination of sputtering and high-temperature annealing using the MOVPE method, and the effect of channel thickness on HEMT properties was investigated. Both the surface flatness and crystallinity of the HEMT structure decreased with increasing channel thickness, while the sheet carrier concentration and Hall mobility increased with increasing channel thickness up to 500 nm, and then began to decrease. The I-V characteristics of HEMT with a channel thickness of 500 nm indicated a saturation current density of 7.6 mA/mm, and the off-state characteristics exhibited a breakdown voltage of 1 kV with drain-source length of 20 $mu$m. |
| キーワード(和) | AlGaN / 有機金属気相成長法 / 2DEG / 電子移動度 / AlGaNチャネル |
| キーワード(英) | AlGaN / MOVPE / 2DEG / Electron mobility / AlGaN channel |
| 資料番号 | ED2021-33,CPM2021-67,LQE2021-45 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and electrical property characterization of AlGaN channel HEMT on AlN template |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(4)（和/英） | 電子移動度 / Electron mobility |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaNチャネル / AlGaN channel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 隆一 / Ryuichi Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 窪谷 茂幸 / Shegeyuki Kuboya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 正直 花奈子 / Kanako Shojiki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-11-26 |
| 資料番号 | ED2021-33,CPM2021-67,LQE2021-45 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.83-86(ED), pp.83-86(CPM), pp.83-86(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |