| 講演名 | 2021-11-25 発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討 藤島 睦(長岡技科大), 田中 久仁彦(長岡技科大), 渡辺 海斗(長岡技科大), 辻本 直也(長岡技科大), |
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| 抄録(和) | 本研究ではp型半導体であるCuBr1-xIx(CuBrI)薄膜をスピンコート法によりガラス基板上に堆積させ，薄膜作製時に発生するハロゲン抜けの低減を溶液浸透法により試みた．作製したサンプルは，透過スペクトル，Electron probe micro analysis (EPMA)，X-ray diffraction (XRD)，Photoluminescence (PL)により評価した．透過スペクトルの結果より，透過率は約80%であることがわかった．また，ハロゲンを含む溶液に浸すことで励起子吸収が高エネルギー側にシフトすることがわかった．EPMAの結果より薄膜内の臭素の増加はみられなかったものの，ヨウ素を増加させることができた．XRDの結果から，溶液に浸すことで膜中のヨウ素が増え、部分的にヨウ素過剰なCuBrIとややヨウ素過剰なCuBrIができていることがわかった．また，PLの結果より，溶液に浸すことで励起子発光が強まり，欠陥に由来する発光が弱くなっていることがわかった． |
| 抄録(英) | In this study, CuBr1-xIx (CuBrI) thin films, which are transparent p-type semiconductors, were deposited on glass substrates by spin coating method. The samples were characterized by transmission spectra, Electron probe micro analysis (EPMA), X-ray diffraction (XRD) and Photoluminescence (PL). The transmission spectra showed that the transmittance was about 80%. EPMA results showed that the bromine in the film did not increase but the iodine increased. The PL results show that the exciton luminescence is enhanced by immersion in the solution, while the luminescence originating from defects is weakened. |
| キーワード(和) | p型半導体 / CuBrI / Photoluminescence / 溶液浸透法 |
| キーワード(英) | p-type semiconductor / CuBrI / Photoluminescence / solution penetration method |
| 資料番号 | ED2021-17,CPM2021-51,LQE2021-29 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of defects suppression in Cu halide thin films by emission spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型半導体 / p-type semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | CuBrI / CuBrI |
| キーワード(3)（和/英） | Photoluminescence / Photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 溶液浸透法 / solution penetration method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤島 睦 / Chikashi Fujishima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 久仁彦 / Kunihiko Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡辺 海斗 / Kaito Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 辻本 直也 / Naoya Tujimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ Tech) |
| 発表年月日 | 2021-11-25 |
| 資料番号 | ED2021-17,CPM2021-51,LQE2021-29 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.13-18(ED), pp.13-18(CPM), pp.13-18(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |